摘要：研究了倒扣焊封装的共面波导 ( CPW) X波段低噪声单片放大器的设计方法、制作工艺及测量结果 ,验证了倒扣焊技术在微波频段应用的可行性。低噪声放大器单片是在 Ga As MMIC工艺线上用全离子注入、0 .8μm栅工艺研制完成。单片电路使用共面波导作为传输线 ,它可以将电磁场束缚在较小的空间内 ,受倒扣衬底的影响较微带线小。与传统的引线键合技术相比 ,单片倒扣焊于陶瓷载体上 ,性能有明显改善 ,在 9.2～ 10 .3GHz,G≈ 12 .1d B。

摘要：由电路和噪声基本定义出发 ,导出了二端口网络的噪声相关矩阵的转移表示式和导纳表示式 .并推导了两个二端口网络的级联和并联后的噪声相关矩阵 .然后在此基础上得出了并联反馈放大器的噪声参数 (Rn,NFmin和Yopt)和其S参数表达式 .由此设计和制造了 1～ 7GHz两级单片低噪声放大器 .在工作频率 1～ 7GHz内 ,测得增益G >2 0dB ,带内增益波动ΔG≤± 0 75dB ,噪声系数NF≤ 2 5dB ,输入输出驻波VSWR≤ 2 0 ,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm .

摘要：研制中心频率为18 GHz的振荡型有源集成天线,包括微带天线设计、单片压控振荡器(MMIC VCO)的设计及微带天线与单片压控振荡器二者的集成。微带天线的芯片面积为4.5 mm×3.5 mm,增益为3.67 dB,中心频率为18.032 GHz,最小输入驻波系数为1.098;单片压控振荡器芯片面积1.1 mm×1.0 mm,调谐范围为15.978～18.247 GHz,输出功率大于6 dBm。振荡型有源集成天线的方向图测试结果与微带天线的特性符合,该振荡型有源集成天线能够正常工作。

摘要：研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶

摘要：一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功。此两级放大器的特点是 ,性能稳定 ,频带宽 ,噪声低 ,增益高而平坦 ,可直接由 +5 V单电源供电 ,无需外加偏置电路 ,输入输出由 MIM电容隔直 ,使用方便。它由栅长为 0 .5 μm Ga As工艺制作而成 ,所有电路元器件皆集成在 3 .0 mm× 2 .0 mm的 Ga As衬底上。经测量 ,在频率 1～ 7GHz的范围内 ,放大器增益大于 2 0 d B,带内增益波动小于± 0 .75 d B,噪声系数 NF<2 .5d B,输入输出驻波 VSWR约 2 .0 ,1分贝压缩点输出功率大于 1 4d Bm。文中介绍了放大器的设计原理和工艺过程 ,并给出了测量结果。测量结果与设计符合得很好。最后值得指出的是 76mm Ga As圆片的成品率高 ,性能一致性好。

摘要：报道了S波段低功耗单片前置放大器的研制结果。该单片电路采用1μm×600μmGaAsE－MESFET、源反馈电感以及具有平面结构的集总参数LC匹配元件。用离子注入技术保证电路具有较好的一致世。在2．3GHz频率点测试结果如下：Ga＝80dB，NF＝2．06dB／2．0V，2．2mA；Ga＝10．5dB，NF＝2．25dB／3．0V，4．8mA。测试结果与设计目标基本一致，这一结果说明在低功耗应用选取GaAsE－MESFET作有原器件是可行的。

摘要：描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件，利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）制造工艺，研制出Ｓ波段单片四位数字移相器。该移相器在设计工作频带内１６个移相态具有移相精度高（均方根误差小于１°）、输入输出驻波好（＜１．４）和较低的插入损耗（＜５．５ｄＢ）与插损变化（均方根误差小于０．２ｄＢ）等优良的电特性。芯片尺寸为６．４５ｍｍ×１．４ｍｍ×０．２ｍｍ。

摘要：介绍了一种基于射频微机械串联开关设计的开关线型四位数字微机电系统(Micro-electromechanical Systems以下简称MEMS)移相器.该移相器集成了16个RF MEMS开关,使用了13组四分之一波长传输线和MIM接地耦合电容,有效地使开关的驱动信号和微波信号隔离,串联容性开关设计有效地降低了开关的启动电压.使用低温表面微机械工艺在360 μm厚的高阻硅衬底上制作移相器,芯片尺寸4.8 mm×7.8 mm.移相器样品在片测试结果表明,频点10.1 GHz,22.5°相移位的相移误差为±0.4°,插损2.8 dB;45°位的相移误差为±1.1°,插损2.0 dB;在X波段,对16个相移态的测试结果表明,移相器的插入损耗小于4.0 dB,驻波比小于2.4,开关驱动电压为17～20 V.

摘要：论述了用于微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法，给出了三种由单管ＦＥＴ构成的负阻电路，以及用ＭＭＩＣ工艺能够实现的矩形螺旋电感与ＦＥＴ实现的负阻电路，并对电路进行了详细的分析与计算机模拟，分析与模拟结果显示用单管ＦＥＴ实现的负阻电路结构简单，在谐振频率点，最大负阻值可达几千欧姆，而且，综合出的负阻电路完全可以用现有的ＭＭＩＣ工艺实现，为进一步设计微波有源滤波器打下了良好的基础。

摘要：描述了 DC— 2 0 GHz射频 MEMS开关的设计和制造工艺 .开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构 ,形成一个单刀单掷 (SPST)并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触 .开关通过上下电极之间的静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容 .测试结果如下 :射频 MEMS开关驱动电压约为 2 0 V,在“开”态下 DC— 2 0 GHz带宽的插入损耗小于 0 .6 9d B;在“关”态下在 14— 18GHz时隔离大于 13d B,在 18— 2 0 GHz时隔离大于 16 d B.本器件为国内首只研制成功的宽带射频