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2.75μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器: 收藏
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引用; 《中国激光》2020年第7期47卷 295-299页; 作者：袁野柴小力杨成奥张一尚金铭谢圣文李森森张宇徐应强宿星亮牛智川中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 北京量子信息科学研究院北京100193 山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室山西太原030006 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308; 设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光...; 设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上设计并制备了腔长为1。5 mm、脊宽为50μm、中心波长为2。75μm的法布里-珀罗腔结构的激光器;所设计激光器可以实现室温连续激射,其最大输出功率为60 mW,阈值电流密度为533 A·cm^-2。; 来源：详细信息评论

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