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一种0.18μm数字工艺的12bit 100MS/s流水线型ADC设计
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《固体电子学研究与进展》2010年 第4期30卷 591-595页
作者:栗成智 瞿小峰 隋文泉浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院杭州310029 
描述一个基于TSMC 0.18μm数字工艺的12 bit 100 Ms/s流水线模数转换器的设计实例。该模数转换器采用1.5bit每级结构,电源电压为1.8V。包括十级1.5 bit/stage和最后一级2bit Flash模数转换器,共产生22bit数字码,数字码经过数字校正电路...
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一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
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《固体电子学研究与进展》2010年 第1期30卷 59-63页
作者:瞿小峰 陆科杰 栗成智 隋文泉浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院杭州310027 
介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在5V的电源电压下的静态电流为85mA。
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