摘要：针对雷电间接效应多重脉冲组电流模拟需求,完成了雷电间接效应多重脉冲组模拟源的设计,采用20个Crowbar电路支路,通过分时放电的方式实现1个脉冲串内多脉冲输出需求,每个支路可以实现最小间隔30 ms的重复频率放电,从而实现3个脉冲串的输出需求。对放电支路的参数进行了详细设计,分析了电容、波尾电路电感、波尾电路电阻参数变化对输出特性的影响。分析了采用并联大电容实现放电电容重复频率快速充电的可行性,完成了装置的初步结构设计并结合装置结构简要分析了电路模拟参数设置的合理性。该装置建成后,可为电子、电气设备等开展测试提供技术支持。

摘要：为研究某种等离子体射流装置在常温常压空气中的放电特性,设计了一种可输出准正弦波电压幅度最高为20 kV、重复工作频率1 Hz~100 kHz可调,功率约为5 kW的等离子体高压变频脉冲源。设计上采用金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)构建全桥拓扑电路,利用开关电源软开关技术原理,将初级能量转移到全桥式串联谐振逆变器上,通过控制芯片施加驱动脉冲信号,经高频脉冲变压器变换后输出高幅度脉冲电压。在间歇或连续工作模式下,该脉冲源输出的高压准正弦波脉冲信号,被加载至等离子体射流装置上,该装置经高压脉冲作用下击穿放电后产生等离子体射流。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,给出了不同工作频率条件下得到的实验结果。

摘要：基于超快速高压大功率半导体开关、脉冲形成电路以及同心等间距传输的关键技术,提出一种模块化多路同步快脉冲触发源技术方案。设计出在负载阻抗为50Ω时,可同步输出两种快脉冲触发信号:一种幅度大于20V(4路)、脉冲前沿小于820ps、脉冲宽度大于100ns;另一种则是幅度大于100V(4路)、前沿小于1.4ns、脉宽大于100ns;在外触发作用下,触发源系统抖动和脉冲输出同步分散性分别达到2ns和36.6ps。电路结构上充分利用等间距电信号传输的原理,实现了快脉冲触发源模块化的设计。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,给出了在外触发脉冲单次和重频(5kHz)作用下该同步快脉冲触发源输出的实验结果。

摘要：为满足爆轰试验高速摄影测试技术中脉冲氙灯照明系统的需求,设计了一种充电电压0～15 kV、储能电容100μF、可分别驱动规格为φ20 mm×500 mm×620 mm和φ50 mm×720 mm×1 080 mm两种脉冲氤灯的电源。采用在光触发信号作用下,一是将高压触发源输出15 kV的脉冲信号,通过绕丝方式对脉冲氙灯进行启辉使其瞬间导通;二是利用伪火花开关（PSS）导通机理将存储在电容上的能量,经电感后迅速转移到脉冲氤灯上对其放电即点亮氙灯。最终在两种脉冲氙灯上分别得到电压约5 kV,15 kV,电流3 kA,8 kA、发光持续时间分别为200μs和100μs的脉冲信号。通过实验结果验证所采用的设计原理及方法的可行性,并给出实验结果。

摘要：为满足高功率脉冲实验中对不同电压等级Marx的触发控制和系统负载对电流的需求,实现脉冲功率的有效叠加,要求在满足系统装置稳定运行的前提下,对每一路脉冲功率单元系统的触发时序达到可精确控制。多通道可延时同步脉冲产生系统针对这一问题,通过对时序逻辑的精确分析以及合理采用FPGA技术,不仅提供产生10路延时电触发信号,而且还能同时产生10路延时光触发信号;在外部10 MHz晶振下,延时范围达到0.1μs^6 ms、延时精度100 ns、步进100 ns;在50Ω负载上实现产生输出幅度>100 V、前沿200 ns且各通道之间延时抖动达到≤820 ps的延时同步脉冲。

摘要：采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式。在重复频率1Hz^1kHz、充电电压4kV、负载阻抗为1kΩ条件下,可实现输出幅度大于20kV、前沿小于10ns且脉宽大于100ns的高压快脉冲。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果。

摘要：本文设计了一种低欧姆接触电阻率的半绝缘GaAs光导开关,开关由0.6mm厚的半绝缘GaAs材料制作,电极间隙为lOnun,开关电极面制作高反膜,背面制作增透膜,使用波长1064nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25ns的激光脉冲触发光导开关,在直流电压6kV时,通过计算得到光导开关的导通电阻仅为0.61Ω.为了增大单只光导开关导通电流,设计了一种叉指状电极结构的光导开关,指状电极间隙2mm,在工作电压2kV时,导通电阻为0.35 Ω。