摘要：采用脉冲抽运方式可显著改善光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的热效应,大幅度提升激光器的输出功率。用有限元方法数值求解瞬态传热方程,得到激光器中温度升高的最大值随抽运脉冲的变化规律。讨论了抽运光脉冲宽度范围的选择,分析了抽运脉冲重复频率对激光器中温度升高最大值的影响作用,对抽运脉冲的时间宽度进行了优化设计。结果表明,对于基质去除型的InGaAs量子阱垂直外腔面发射激光器,抽运光脉冲的宽度介于1～10μs时,激光器中最大温升值即明显下降;同时,抽运脉冲的重复频率应限制在50kHz以内,以满足脉冲间隔大于激光器热弛豫时间的要求,否则激光器中会产生热量的积聚,增加最大温升值。

摘要：根据光线追迹方法,通过计算和推导,讨论了在制作和设计球状光纤耦合器时应该注意的参数设计,得到其参数与耦合效率的解析表达式,为球状光纤耦合器的设计提供了理论计算依据。

摘要：通过对速率方程的求解,得到了掺Yb3+双包层光纤激光器的输出功率表达式■。利用Matlab软件对其进行了数值模拟,分析了泵浦波长、泵浦功率、光纤长度、光纤掺杂浓度、输出腔镜对激光器输出功率的影响。结果表明,用915 nm和975 nm进行泵浦时所需的最佳光纤长度是不相同的,掺杂浓度对光纤长度的最佳值也存在影响,输出腔镜的反射率应尽量小,合理地最优化系统参数能使掺Yb3+双包层光纤激光器输出功率达到最优。

摘要：为了降低光抽运外腔面发射激光器的热效应,提高激光器的输出功率,采用液体毛细键合方法将逆序生长的半导体外延片与高热导率的碳化硅散热窗口键合,并用化学刻蚀方法去除外延片的基质。实验研究了用基质刻蚀的外延片搭建的外腔面发射激光器的性能。当增益介质的有源区为InGaAs/AlGaAs多量子阱、抽运源为808nm的光纤耦合输出半导体激光器,输出镜对激光波长透过率为3%时,在室温下获得TEM00模的最大输出功率0.52W,激光波长1018nm,光谱线宽2nm(半峰全宽),激光器的光光转换效率约为20%。测得x方向与y方向的M2因子分别为1.01和1.00,说明输出光束为质量优良的近衍射极限高斯光束。结果表明,基质刻蚀技术可明显改善外腔面发射激光器的热性能,获得高功率、高光束质量的激光输出。

摘要：光纤中的受激Brillouin散射及其影响是设计光纤激光器必须考虑的问题。本文对受激Brillouin散射的原理,光纤激光器中Brillouin散射的阈值,在某些应用中抑制Brillouin散射的方法,光纤中Brillouin散射的特性,以及这些特性在布里渊光纤放大器、布里渊光纤激光器、布里渊光纤传感器、布里渊光纤相位共轭镜,布里渊光纤脉冲限幅及脉宽压缩部件、布里渊光纤陀螺、受激布里渊散射(SBS)的慢光缓存器、受激布里渊微波光子信号系统等方面的应用等进行了较为全面的阐述,为一些需要考虑SBS效应的光纤器件的设计提供参考。

摘要：分析目前医院网站设计和推广中存在的不足,运用科学、切合实际的方法对医院网站进行评估,通过增强网站功能、丰富网站内容、注重界面设计、重视网站推广等措施来解决出现的问题。

摘要：论述了布拉格光纤光栅刻写过程中所涉及的计算机对纳米级光学平台控制的实现,具体介绍了由PC机与单片机交互式通信控制微动步进电机的控制系统的整体设计构想,详细给出了整机电路设计框图和在VisualBasic6.0环境下使用MSComm控件实现的上位机控制系统及在Mcs 51环境下实现的下位机执行机构的程序设计思路。

摘要：根据光线传输的基本原理,通过计算和推导,讨论了为使半导体激光器发出的全部光束能够投射到小球表面,其折射光线能全部进入光纤光芯,并在光芯内全反射传播,小球半径应满足的条件以及半导体激光器光源应安装的位置,并用解析式表达、讨论了在制作和设计球状光纤耦合器时应该注意的参数设计,为球状光纤耦合器的设计提供了理论计算依据。

摘要：根据大功率激光二极管的伏安特性和运行要求,采用基本电子线路和基本电路分析方法,以可控硅作为功率器件,一种千瓦级连续激光二极管面阵的电源被研究和制作出来。这种电源功率大、恒流工作、稳压调节、恒流与稳压之间自动切换。此外,还具备过流保护、过压保护、浪涌抑制和接受外来信号自动切断等功能。实际的运行结果表明,该电源可靠、实用。

摘要：光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型的半导体激光器,在很多领域有着广阔的应用前景。其外腔结构更容易实现高功率、高光束质量的倍频。本文分析了光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的器件结构;研究了VECSEL的倍频,设计了两种不同的VECSEL倍频结构及散热装置。