摘要：近年来,二维过渡金属二硫化物(TMD)由于其良好的物理和化学性质而引起人们的关注。其中,石墨烯由于其高达200000 cm2·V-1·s-1高电子迁移率得到了深入研究。由于石墨烯没有带隙,因此基于石墨烯的器件难以实现高的电流开关比。对于二维过渡金属二硫化物例如MoS2、MoSe2、WSe2和WS2,这些材料可以根据层数来调节的带隙。其中,单层和多层MoS2薄膜已进行了广泛深入研究。已经有人实现具有优异电学性能的基于MoS2的场效应晶体管(FET)。与MoS2、MoSe2和MoTe2相比,WS2具有更低的面内电子质量,这表明基于WS2的FET具有更高的载流子迁移率或更高的输出电流。与MoS2相比,WS2缺乏系统的研究,需要更多的研究工作来进一步发掘基于WS2的场效应晶体管的潜能。因此,我们使用机械剥离法来制备WS2晶体单层(1L),少层(FL)和块状WS2薄膜。使用3M透明胶带转移WS2薄膜,并且使用514 nm激光器对1L、FL和块状WS2膜进行了变温的拉曼研究。随着膜厚度增加到块状,对于1L WS2,A1g(Γ)和E2g1(Γ)模式分别显示蓝移和红移。此外,当拉曼振动模式在E12g(Γ)和A1g(Γ)之间交换时,"交叉"温度被识别为1L、FL和块状WS2膜。与MoS2相比,随着膜厚度的变化,WS2在E2g1(Γ)和A1g(Γ)之间表现出较小的频率变化(Δ),并且从拉曼峰值位置随温度变化来看,WS2比MoS2少一个量级。这项工作为基于WS2的器件设计提供了物理指导。