摘要：本文介绍了１０位Ｄ／Ａ转换器ＳＤＡ１００的电路结构和工作原理，重点叙述了工艺制作技术以及电路中ＣｒＳｉ薄膜电阻的激光修调技术，并介绍了一些实际制作经验，为以后的设计提供参考。

摘要：介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。

摘要：提出了一种高压低功耗比较器电路。该电路基于0.5μm CMOS工艺设计,采用差分对单端输出结构,利用高压PMOS尾电流进行偏置,实现了降低功耗的目的。结果表明,该电路静态电流约为8.25μA,工作电压范围为3~18 V,输入失调电压为5 mV,输入失调电流约6 fA,输入偏置电流约2.5 pA。该电路适用于低功耗、高压模拟模拟集成电路领域。

摘要：兼顾纵向PNP晶体管高电流增益和高击穿特性,设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)全介质隔离的P外延互补双极工艺,通过优化纵向PNP晶体管的基区掺杂浓度和有效基区宽度,获得一种高电流增益的纵向PNP晶体管,器件增益β≥500,耐压大于等于30 V。