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检索条件"作者=欧榕津"

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使用IGBT的高性能智能功率模块的设计考虑: 收藏
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引用; 《半导体杂志》1993年第2期18卷 15-20页; 作者：欧榕津王朝英; 来源：详细信息评论

IGBT的优化设计问题综述: 收藏
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引用; 《半导体杂志》1994年第2期19卷 30-36页; 作者：欧榕津王朝英南开大学电子科学系; 本文从改进器件结构、提高器件性能的角度出发，对ＩＧＢＴ自产生以来的各种有代表性的优化设计进行了综述，其中重点介绍了抑制闭锁效应、降低正向压降和开关损耗、提高阻断电压和开关速度的一些技术，对几个关键参数之间的折衷问题也...; 本文从改进器件结构、提高器件性能的角度出发，对ＩＧＢＴ自产生以来的各种有代表性的优化设计进行了综述，其中重点介绍了抑制闭锁效应、降低正向压降和开关损耗、提高阻断电压和开关速度的一些技术，对几个关键参数之间的折衷问题也进行了一定程度的讨论。; 来源：详细信息评论

高性能IGBT模块的设计考虑: 收藏
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引用; 《微电子学》1994年第6期24卷 51-54页; 作者：欧榕津王朝英南开大学电子科学系; 本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向...; 本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。; 来源：详细信息评论

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