摘要：用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15 000 cm^2·V^(-1)·s^(-1)提高到16 000 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量。从77 K到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构。双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气(2DEG)浓度的In As/Al Sb异质结Hall器件具有广阔的应用前景。

摘要：为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强。得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。

摘要：本文首先阐述了制订平时成绩考核方案所应遵从的原则。针对2013级"Verilog HDL数字系统设计"课程的平时成绩考核方案的不足,笔者对2014级考核方案进行了调整。为了验证新方案的考核结果可信度,我们将两级学生的平时成绩与同行给出的平时成绩进行了横向比较。研究发现改进的2014级方案所得成绩与同行成绩相符程度更高,这也验证了新的平时成绩考核方案可信度更高。

摘要：In P基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H_2O_2混合液作为In P基HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的最优时间。首先用单片In Ga As和单片In Al As材料进行单步腐蚀,最终得到腐蚀液对这两种材料的腐蚀速度;其次对In P基HEMT器件外延材料进行光刻,对光刻后图形进行20 s,40 s,60 s的腐蚀。同时采用光学显微镜观察腐蚀图形,利用电流监控法确定腐蚀形成HEMT器件的栅槽腐蚀时间,并通过原子力显微镜(AFM)进行表面平整度观察,最终得到60 s的腐蚀时间的特性较好,进而确定为栅槽形成的最优腐蚀时间是60 s。