摘要：SiC MOSFET广泛应用于电力电子变换设备中，快速、准确且可靠的短路保护电路已成为推广其应用的关键技术之一。该文对SiC MOSFET的各类短路过程进行分析，利用器件短路时漏源极电压迅速增加的特点，设计短路保护电路的拓扑结构和功能，检测SiC MOSFET栅极和漏极电压，并将该信号进行分析、锁存、隔离、滤波处理，若器件发生短路，则输出短路信号给栅极驱动芯片。在此基础上，采用基本逻辑器件和高速器件设计保护电路，理论上分析计算该电路在不同短路类型下的响应时间。计入所有影响保护速度的因素，该电路能在600 ns内实现SiC MOSFET短路保护，尤其是在发生负载短路故障时能将短路保护时间缩短至200 ns以内，其响应速度受不同母线电压影响较小。搭建实验平台，测试了该电路在不同母线电压、短路类型、驱动能力等情况下的短路保护性能，实验结果与理论分析和设计要求相符合。

摘要：受高算力芯片的需求驱动,尽管摩尔定律日趋减缓,高端芯片的工艺复杂度和集成度仍在逐代增大.随着前道工艺中晶体管架构与其集成密度不断优化提升,后道工艺所涉及的芯片内互连技术挑战愈发严峻,迫切需要对互连材料与工艺进行革新.同时,高集成度的系统级3D封装也是高性能芯片的关键解决方案,其中核心的3D封装技术对芯片间互连材料与工艺不断提出新的要求.为此,本文系统探讨了后摩尔时代芯片内和芯片间多代候选互连材料及其工艺的潜力及挑战,从材料创新、工艺优化、架构突破、设计范式等多方面综合研判了未来互连技术的发展路径,并对超导互连、光互连等颠覆性互连技术做了前瞻性分析,可以预见互连材料的革新将有力推动新的芯片技术革命.

摘要：为了便于驱动谐振梁的反对称模态,提高加速度检测灵敏度,该文提出了一种分布式的电极驱动方式,利用分布式电极更易驱动谐振梁的反对称模态并检测信号。设计了弹性梁质量块系统,用作感知外部加速度的敏感质量,并将谐振梁作为测量加速度的敏感元件。建立了谐振梁前两阶动力学方程。实验测量了不同加速度下谐振梁一阶、二阶的频率变化。实验表明,二阶模态检测正向灵敏度比一阶模态检测正向灵敏度提高了49%,负向灵敏度提高了89%,且二阶模态品质因数是一阶模态品质因数的3.19倍。最后分析了偏置直流电压对灵敏度的影响:随着电压提高,正向加速度检测灵敏度提高,负向加速度检测灵敏度降低。

摘要：运用弦振动理论建立了斜拉索内力的计算公式,并分析了边界约束、抗弯刚度及垂度对索力测试精度的影响.结果表明:这些因素的影响与索的长短有关,特别对短索的影响较大,有时会使索力测试值不可接受.因此针对各影响因素提出了实际解决办法.同时以郧阳汉江公路大桥为研究对象,对实测索力与设计索力进行比较分析.