摘要：基于SMIC 0.18μm 1P6M标准CMOS工艺,设计并实现了一种低成本、高效率的超高频整流电路.该设计采用直流偏置电路和驱动电路对整流管的阈值电压进行补偿,消除了标准CMOS工艺阈值电压对整流电路效率的不利影响.在版图后仿真下,当输入915MHz,340mV的射频信号时,整流电路的输出电压为2.646V,启动时间为60μs,总体效率高达43.8%,整个电路版图面积为910μm×600μm.

摘要：采用0．13μmCMOS工艺设计了一种应用于CMMB的可变增益的低噪声放大器（10wnoiseamplifier，I，NA）．LNA工作于2．63542．66GHz，采用低增益和高增益两种控制模式，其中高增益为主要工作模式．设计使用cadence软件进行前仿真和后仿真，随后对其进行了流片和封装测试．测试结果显示，在高增益时，sz。为9．25～9．42dB，NF为1．99～2．26dB，IIP3为1．25dB．使用1-2V电源供电，直流功耗为7．38mw．低增益时S2l为一5．85dB至0—5．70dB，NF为7．90dB至08．99dB，IIP3为14．19dB．

摘要：设计了一种全集成差分高速环形压控振荡器(VCO)。采用三级延迟单元环路复用结构,通过正反馈技术以及改变负载电阻值的方法,有效优化延迟单元;采用双控制电压粗/细调谐方式,实现振荡器高频率、低功耗的要求。在SMIC 0.18μm CMOS RF工艺模型下,采用ADS软件对振荡电路进行仿真,在外接电源电压Vdd=1.8V时,输出频率的调谐范围为7.32～11.07GHz,当频率为11GHz时,在偏离中心频率1MHz处相位噪声为-88.32dBc/Hz,在偏离中心频率10MHz处相位噪声为-112.7dBc/Hz,平均功耗为63.5mW。该VCO可应用于锁相环和雷达通信系统。

摘要：讨论了当前UWB发展的形势。结合传统UWB脉冲发生器设计方法,采用数字设计技术,基于0.18μm工艺标准的CMOS技术,利用组合电路的竞争机制和短矩形脉冲的相位组合原理,设计出了低功耗窄宽度的UWB脉冲发生器,其功率谱符合FCC辐射掩蔽标准。经验证获得了很好的效果,得到的脉冲宽度为370 ps,峰值电压为380 mV。在脉冲重复频率为1 MHz和480 MHz时系统功耗分别仅为0.7 mW和17.4 mW。

摘要：本文在文献提出一种数字MSK调制解调模型基础上,将数字MSK调制技术应用到双工复接通信系统中。采用状态机的方式实现编帧和解帧,在编帧中插入帧头、特殊标志位,解帧过程去掉帧头和帧特殊标志位。用Verilog HDL语言进行模块设计与时序仿真,并在FPGA硬件上实现本设计。设计结果表明基于数字MSK调制的双工复接通信系统在实际应用上是可行的。

摘要：设计了一种结构简单的UWB通信系统单用户数字接收机芯片。分析了跳时脉位调制(TH-PPM)超宽带信号的产生原理,在传统TH-UWB相关接收模型的基础上,采用一种结构简单且易于数字相关处理的接收机。该结构能有效降低接收机的复杂度。采用Cadence的Spectre仿真工具,对设计的电路和版图进行了仿真。后仿真结果表明,系统可正确地恢复信息码。设计的数字接收机采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺,工作电压为1.8 V。

摘要：针对超宽带无线通信的应用,提出了一种新颖的具有两块非对称接地面结构的紧凑型超宽带(Ultra-Wideband,UWB)天线.本设计采用半椭圆辐射单元和两块非对称接地平面结构,以获得较宽的工作频率和较小的几何尺寸.对影响天线性能的主要几何参数进行了研究和优化并对所设计天线进行了加工制作与测量.测试结果表明:反射系数S11小于-10dB时,所设计天线的工作频率覆盖3~12GHz的范围,满足标准UWB带宽(3.1~10.6GHz)的要求,且平均增益达到4.5dBi天线具有较小的几何尺寸,仅为14mm×18mm=252mm2.

摘要：介绍交织技术在Turbo码中的作用及原理,按照螺旋交织器设计的要求,提出了一种交织器电路的设计方案。根据此设计思路得出交织器系统框图,用硬件描述语言进行编程设计了交织器的电路,详细说明了设计内容,并给出了仿真结果。

摘要：针对传统的最小频移键控(MSK)的调制解调方式,提出一种基于甚高速硬件描述语言(VHDL)的数字式MSK调制解调模型。这种新建模方式便于在目标芯片FPGA/CPLD上实现MSK调制解调功能。新的MSK调制器模型引入一个特殊相位计模块,控制已调信号的相位连续性;新的MSK解调器根据其调制器模型,采用比较器和有特殊关系的计数器来实现。通过理论推导和系统VHDL的编程设计与时序仿真,结果表明新型MSK调制解调器模型在理论和实用上是可行的。

摘要：噪声消除技术是设计低噪声放大器(LNA)时常用的技术之一,而如何解决LNA噪声与功耗的矛盾始终是设计的难点。文章提出一种新型噪声消除结构,通过主辅支路之间添加反馈回路的方式,在不增加功耗的情况下,实现了消除主辅支路噪声的目的。基于180 nm CMOS工艺,设计了一款应用该噪声消除结构的宽带低噪声放大器。仿真结果显示,该LNA的带宽为0.40~2.36 GHz,S_(11)与S_(22)均小于-10 dB,S12小于-30 dB,最大S_(21)为14.5 dB,噪声系数为2.20~2.34 dB,功耗仅为9 mW。