文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

10kV垂直双扩散绝缘栅型光电导开关结构设计: 收藏
分享
引用; 《激光与光电子学进展》2019年第19期56卷 228-234页; 作者：王馨梅王慧慧张丽妮段鹏冲贾婉丽西安理工大学自动化与信息工程学院陕西西安710048 西安理工大学理学院陕西西安710048; 漏电流问题限制了传统半绝缘氮化镓光电导开关的高压应用。提出在半绝缘GaN∶Fe衬底(激光触发区)上增加n型外延层并在其中构造垂直双扩散场效应晶体管元胞阵列(电触发区),即在传统纵向光电导开关结构上引入了一个由栅压控制的反向pn结,...; 漏电流问题限制了传统半绝缘氮化镓光电导开关的高压应用。提出在半绝缘GaN∶Fe衬底(激光触发区)上增加n型外延层并在其中构造垂直双扩散场效应晶体管元胞阵列(电触发区),即在传统纵向光电导开关结构上引入了一个由栅压控制的反向pn结,利用空间电荷区对载流子的耗尽作用降低半绝缘材料的漏电流。器件建模仿真显示,电、光触发区能合理分担10kV外加偏置电压,在相同的电场偏置强度下,器件的漏电流低于传统光电导开关两个数量级,而且在绝缘栅开通过程中电触发区偏压能快速转移到光触发区,使光触发区在更高的动态偏置电场下被激光脉冲触发,提高了激光能量利用率。此外,计算分析了激光参数与器件输出特性之间的关系,以进一步提高激光利用率。; 来源：详细信息评论

高级检索 表达式检索

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

高级检索 表达式检索

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

限定检索结果

保存检索档案

请选择保存的检索档案：

收藏书架

请选择收藏分类：

检索条件订阅

申请转借

引用

高级检索 表达式检索

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

高级检索 表达式检索

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

限定检索结果

保存检索档案

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

收藏书架

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

检索条件订阅

申请转借

引用

高级检索表达式检索

高级检索表达式检索

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：