摘要：提出一种移动站车载全站仪位姿估计方法,结合线路线形、小车姿态及1个CPIII控制点测量信息等,对后续站全站仪位置和姿态进行估计,并已此为基础计算CPIII控制点相对于全站仪的位置,实现全站仪免置平设站测量的自动化。理论分析表明,位姿估计误差的大小与线路质量关系密切,但与全站仪ATR窗口搜索范围(缺省值为4°)相比,旋转照准精度足够满足要求。线路试验表明,以免置平车载全站仪位姿估计为基础,程序能准确计算出目标棱镜所在的方位,实现免置平自动设站(自动旋转和自动测量),一定程度提升测量效率与用户体验。

摘要：针对阀体传统制造工艺效率低、锻件性能差、成本高等问题,本文提出采用先进的多向模锻工艺进行阀体制造,并以一种不等径四通阀体为典型对象,结合Deform-3D数值分析进行工艺研究。首先,根据不等径四通阀体的结构特征,确定了分模面,并依此设计了两种锻件图;其次,根据锻件图设计了3种不同的多向模锻结构,并分别确定了模具的加载形式;最后,基于Deform-3D进行了建模分析,对比了3种模具结构下阀体的成形过程、等效应变、成形载荷等。研究表明:当阀体锻件连皮位于中部,且上凸模结构采用组合式凸模结构,下凸模为动模时,模拟获得的阀体锻件充填饱满,质量良好,无缺陷,此时模具受载更小,且成形时间短,利于提高生产效率。基于本文的分析结果进行了四通阀体的试制,获得的阀体表面成形完整,法兰质量良好,内部流线均匀连续,充分说明采用多向模锻工艺进行阀体的制造是可行的。

摘要：目的:研制一款应用于眼战伤冲洗结膜囊的装置,以在一线抢救时预防并发症的发生。方法:冲洗装置采用流量、压力控制的技术形式,由冲洗开关、冲洗液管、加压腔体、加压手柄、压力指示装置、吸液软管(重力球)、冲洗瓶等组成。冲洗瓶采用一次性注塑成型,容积为250 ml。选用医用级聚乙烯、聚丙烯、食品级硅胶及医用不锈钢为材料,可采用环氧乙烷消毒灭菌。结果:该冲洗装置的预加压和压力控制装置设计保证了冲洗流速与压力稳定并能有效提示压力状态,安全性高;一体式单手握持设计解放了双手操作,节时省力、节约空间、操作简易;重力球设计可达到全方位吸水。结论:该装置具有流速可控、操作简单、耗时短、成本低等特点,能在一线抢救时提供安全、快捷、高效的结膜囊冲洗,有效预防并发症发生,为眼战伤的一线救治提供有力保障。

摘要：本文根据国内当前塑料加工厂所使用的供料装置不能与塑料制品和机械的高速发展相适应,介绍了国内外塑机加料系统的现状,从理论上分析了气力输送的基本原理。重点介绍气力输送装置的设计与计算,并以上海胜德塑料厂注塑车间筹建的五台大型注塑机设计集中供料系统为例,较详细介绍了设计步骤和方法。

摘要：疼痛是临床某些疾病表现的一种症状,是病人就诊的主要原因,它与疾病发生、发展、转归有着密切的关系。良好的心理护理,是一种精细的艺术、特殊的技能。因此,疼痛患者的心理护理在临床工作中有非常重要的意义。

摘要：安德鲁.芬伯格是新一代法兰克福学派的重要代表,当代西方著名技术批判理论家。他的后马克思主义身份被其技术哲学家身份所遮蔽,其后马克思主义思想体现为:资本主义技术"设计批判"理论、社会主义过渡理论、社会主义理论。这三个方面共同构成了他的技术批判理论的后马克思主义底蕴。

摘要：文章对用ＰＲＯＴＥＬ设计单面印刷电路板时如何进行布局连线以及怎样利用元器件的斜放、竖放封装形式以减少跳线的使用和节约空间，打印黑白墨图时打印比例如何控制等问题作详细的解说。

摘要：熔模铸造为近净成型的一种技术,用于铸造以及成形具有更复杂或特殊形状的零件。很多熔模铸件都是典型的各种空间曲线零件,广泛应用在电力、机械等设备中、这些设备具有恶劣的工作环境,对工作性能提出较高的要求。传统铸造的浇注系统设计、轮廓设计、结构设计以及制定注蜡工艺的参数等都是根据经验以及试验来确定,主要基于技术人员在实际工作中积累的经验,缺乏科学依据,需要对结构、铸造工艺计划进行反复修改,以实现预期的技术要求,尤其是对于复杂或关键零件。

摘要：建立在SOI衬底上的FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响,同时获得了一些标准集成电路工艺上的改进空间.运用标准CMOS工艺实际制作的体硅CMOSFinFET器件获得了较好的性能结果并成功地集成到CMOS反相器和环形振荡器中.结构分析与实验结果证明了体硅CMOSFinFET在未来电路中的应用前景.

摘要：A comprehensive way to design a sub 50nm SADG MOSFET with the ability of being fabricated by improved CMOS technique is *** this way,the gate length and thickness of Si island of DG device show many different scaling limits for various ***,the spacer insulator shows a kind of width thickness on device drain current and circuit speed.A model about that effect is developed and offers design consideration for future.A new design of channel doping profile,called SCD,is also discussed here in *** DG device with SCD can achieve a good balance between the volume inversion operation mode and the control of V th .Finally,a guideline to make a SADG MOSFET is presented.