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一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路: 收藏
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引用; 《微电子学》2004年第2期34卷 164-167页; 作者：谭开洲石红杨国渝胡刚毅蒲大勇冯健毛儒炎模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060; 　介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在...; 　介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。; 来源：详细信息评论

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