摘要：利用机械剥离和高温减薄方法制备了厚度约为5 nm的GeSe纳米片,并通过设计实验装置测试了GeSe纳米片在不同浓度氧气(O_(2))和丁烷(C_(4)H_(10))气体中的电导性能.结果表明,随着氧气浓度的增加,GeSe纳米片在相同电压下所测得的电流增大,而在丁烷气体中所测得的电流减小.通过第一性原理计算发现,O_(2)分子从GeSe获得电子.气体浓度越大,P型半导体GeSe主要载流子空穴的浓度也越大,从而电导率增大.当GeSe吸附丁烷气体时,随着丁烷气体浓度的增加,相同电压下电导率减小.其原因可归结为GeSe薄膜器件在加工过程中从空气中吸附了O_(2)分子,由于薄膜中存在较高密度的Se空位,导致O_(2)的高密度吸附.从而导致在吸附还原性气体时,丁烷气体易失电子.即电子从丁烷气体分子中转移到GeSe薄膜表面与空穴中和,降低了GeSe薄膜中的载流子空穴浓度,从而降低电导率.本文的研究有助于GeSe纳米片在氧气和丁烷气中的光电器件应用.

摘要：高性能计算平台建设与数学、物理、计算机、生物等多学科涉及计算的研究工作密不可分,在培养高素质人才和支撑科技创新等方面起着重要作用.研究生教育肩负着为国家现代化建设培养高素质、高层次创造型人才的重任.本文探讨了新形势下高性能计算平台建设在研究生培养中的重要作用.阐述了依托学科优势,构建高性能科学计算平台对数学类专业研究生科研素质培养的推动作用,以及对促进研究生创新能力培养的重要意义.