摘要：介绍了一种以微处理器为控制核心,基于IGBT驱动的永磁机构真空断路器二次控制系统。整个系统结构包括直流电源模块、IGBT驱动模块、输入信号采集模块及微处理器模块。另外针对目前永磁机构真空断路器二次控制系统存在的一些问题,设计了防跳回路、电容电压监测电路、线圈连续性监测电路,用以完善永磁机构真空断路器的二次控制系统功能,提升永磁机构真空断路器的综合性能。

摘要：为探究团簇Fe_(3)Ni_(3)优化构型的电子性质,使用密度泛函理论中的B3LYP/Lanl2dz(Level)对设计出的初始构型进行全参数优化计算,排除含虚频和能量较高的相同构型后,最终得到9种稳定的优化构型。从各优化构型的电荷量、原子内轨道布居数、原子及原子间的自旋布居数、原子自旋密度分析发现:团簇Fe_(3)Ni_(3)内部Fe原子一般为电子供体,Ni原子一般作为电子受体;构型内部各原子的4s轨道是电子流出的主要贡献者,3d轨道是电子流入的主要贡献者,且4p轨道对电子流入的贡献不可忽视;三重态构型内部β电子自旋密度越大,α和β2种电子云的重叠程度越高,构型的稳定性越好,其中构型1^((3))与构型2^((3))的稳定性最好,构型5^((3))稳定性最差。