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集成三漏CMOS磁敏传感器
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《Journal of Semiconductors》1993年 第9期14卷 588-590页
作者:张维新 楼利民 毛赣如天津大学电子工程系天津300072 
本文介绍了一种新颖的集成三漏CMOS磁敏传感器。报道了该传感器的电路原理、版图设计及其研制结果。它具有结构简单、磁灵敏度高和使用方便等特点,且制造工艺与标准铝栅CMOS工艺完全兼容,成本低、易于批量生产,具有高的性能/价格比。
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多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算
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《电子学报》1999年 第11期27卷 68-70页
作者:姚素英 曲宏伟 张维新 毛赣如 李永生天津大学电子与信息工程学院天津300072 
本文用有限单元法对双岛型多晶硅压力传感器的应力分布进行了计算机模拟.根据模拟计算的应力分布规律,优化多晶硅应变电阻的设计,弥补了多晶硅压阻系数低于单晶硅的缺点,研制出了双岛结构多晶硅压力传感器.传感器具有高灵敏度和高的工...
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双岛结构多晶硅压力传感器削角补偿技术的研究
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《天津大学学报》2000年 第2期33卷 244-246页
作者:曲宏伟 张为 姚素英 毛赣如 张维新 喻白莹天津大学电子信息工程学院天津300072 
详细讨论了双岛结构多晶硅压力传感器制作过程中的一种微机械加工技术 .传感器采用的材料是双面抛光的 (1 0 0 )晶面硅片 ,制作中还利用了半导体集成电路平面工艺 .研制这种传感器遇到的主要问题是硅各向异性腐蚀的凸角削角问题 .为削...
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新型半导体集成磁敏传感器的研究
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《电子测量与仪器学报》1996年 第4期10卷 19-23页
作者:毛赣如 姚素英 曲宏伟天津大学电子工程系天津300072 
本文论述了一种新颖的集成磁敏传感器。它是以互补三漏MOS晶体管为磁敏器件,采用半导体集成电路技术,将放大电路,偏置电路与磁敏元件集成在同一芯片上。该传感器具有灵敏度高、功耗低和体积小等特点。本文详细地分析了传感器的磁敏...
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