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不同一级相变材料的内耗峰形成机制: 收藏
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引用; 《上海交通大学学报》2010年第5期44卷 650-654页; 作者：杨开巍水嘉鹏朱震刚中南大学物理科学与技术学院长沙410083 中国科学院固体物理研究所合肥230031; 试验研究了3种一级相变材料的相变过程,即非晶PdNiCuP的晶化与无序和有序型相变、形状记忆合金Cu-11.9Al-2.5Mn的无扩散位移型相变以及共析合金Zn-22Al的共析相变,设计并测量了3种材料的电阻和内耗,并采用插值法获得不同温度下内耗与频...; 试验研究了3种一级相变材料的相变过程,即非晶PdNiCuP的晶化与无序和有序型相变、形状记忆合金Cu-11.9Al-2.5Mn的无扩散位移型相变以及共析合金Zn-22Al的共析相变,设计并测量了3种材料的电阻和内耗,并采用插值法获得不同温度下内耗与频率的关系曲线.结果表明,3种材料的相变内耗峰不是弛豫型内耗峰,而是弛豫参数发生突变的结果,相变内耗峰高度与频率的关系是弛豫的表现.在低温区域,观测到其相变内耗峰的结构弛豫现象,并可用结构失稳和结构弛豫的概念定性解释升温速率对相变内耗峰高度的影响.; 来源：详细信息评论

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