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英国要推进GaAs技术: 收藏
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引用; 《半导体情报》1996年第3期33卷 38-41页; 作者：李光平李静汝琼娜天津电子部第46研究所; 英国要推进ＧａＡｓ技术伦敦Ｍｉｄｄｌｅｓｅｘ大学的微电子中心主任ＥｂｒａｈｉｍＢｕｓｈｅｈｒｉ说他认为英国还没全力发展ＧａＡｓ技术。＂欧洲在高速ＧａＡｓ数字电路及其设计理论上比英国更重视，投资更多。他的中心正与Ｓｏｌ...; 英国要推进ＧａＡｓ技术伦敦Ｍｉｄｄｌｅｓｅｘ大学的微电子中心主任ＥｂｒａｈｉｍＢｕｓｈｅｈｒｉ说他认为英国还没全力发展ＧａＡｓ技术。＂欧洲在高速ＧａＡｓ数字电路及其设计理论上比英国更重视，投资更多。他的中心正与ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ的Ｆｒ...; 来源：详细信息评论

半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量系统: 收藏
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引用; 《现代仪器使用与维修》1999年第2期 38-40页; 作者：李光平李静汝琼娜何秀坤电子部第46研究所天津300192; 本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。; 本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。; 来源：详细信息评论

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