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Ga的高斯分布对快速晶闸管电学性能的改善: 收藏
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引用; 《稀有金属材料与工程》2007年第A3期36卷 40-43页; 作者：裴素华黄萍张美娜江玉清山东师范大学物理与电子科学学院山东济南250014; 利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出:P_1,P_2区Ga的缓变分布及其与N_1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特...; 利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出:P_1,P_2区Ga的缓变分布及其与N_1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特点使磷在J_3结处得到一个较大的注入比,同时Ga在短基区获得一个足够高的(?),改善了器件的通态特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量达到1000 V/μs。可见开管扩Ga是综合提高快速晶闸管器件电学性能及等级合格率的一种新途径。; 来源：详细信息评论

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