摘要：第三代多功能等离子体浸没离子注入 (PIII)装置的强流脉冲阴极弧金属等离子体源既具有强的镀膜功能 ,同时也具有强的金属离子注入功能 ;它的脉冲高压电源能输出大的电流 ;并可获得高的注入剂量均匀性。该装置既能执行离子注入 ,又能把离子注入与溅射沉积 ,镀膜结合在一起 ,形成多种综合性表面改性工艺。本文描述了它的主要设计原则、主要部件的特性以及近期的研究工作成果。

摘要：本课题建立了两种物理模型来描述理想脉冲情况下等离子体中的电子运动,并建立了电子运动方程.在无限长平面靶情况下首次得到了电子运动方程的解析解,提出了理想上升沿判据.通过对保形全方位离子注入的处理工艺参数的研究,获得了各个工艺参数之间的定标关系.研究结果表明,在相同的注入脉冲宽度情况下,增加等离子体密度和离子质量都能够获得更均匀的注入分布.注入波形的上升沿对注入离子能量分布造成的影响完全可以通过提高等离子体的密度和改变离子质量来消除.因此在设计调制器时追求过陡的上升沿意义不大,从技术难度和成本效益比上看,上升沿在1～2μs之间即可满足全方位离子注入过程对电源的要求.

摘要：详细叙述了新近研制的多功能等离子体浸没离子注入（ＰＩＩ）装置．在装置设计中，考虑了等离子体产生手段、高压脉冲电源和真空抽气系统多项功能要求，把离子注入、涂敷和溅射沉积结合起来．该装置已实现了多种气体等离子体注入、气－固离子混合与注入、金属等离子体沉积与注入、离子束混合与离子束增强沉积等，以满足不同材料制成的不同零件对多种表面处理工艺的需要．初步应用结果证明，该装置对于改进４５号钢、Ｔｉ６Ａｌ４Ｖ和Ｃｒ４Ｍｏ４Ｖ合金的抗磨损与抗腐蚀是很有效的。