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基于AMBA总线的高性能QDRⅡ SRAM控制器设计
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《电子与封装》2014年 第6期14卷 23-27,31页
作者：李天阳 汤飞龙 王月玲中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 
针对高速网络的需求,介绍了一种高速静态存储器QDRⅡSRAM,设计了一种基于AMBA总线的高性能QDRⅡSRAM控制器IP,具有良好的接口兼容性和可移植性。使用了深度为8×72位的写出FIFO与8×72位读入缓冲,增加了系统存取的效率,设计通...
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