摘要：钛酸锶钡(BST)高介电常数材料被普遍认为是最有前途的DRAM电容介质材料。BST作为DRAM电容介质材料的研究已有多年,到目前为止取得了不少突破性的进展。介绍了BST的材料特性和堆积型电容结构电极、埋层材料的设计考虑,探讨了BST膜的制备、掺杂及刻蚀工艺技术。

摘要：设计了一种采用锆钛酸铅(PZT)压电薄膜悬臂梁作为驱动机理的500μm×500μm微镜结构。该微镜主要由4个悬臂梁与1个反射镜组成,4个悬臂梁起支撑微镜的作用,即微镜主要利用微悬臂梁自由端头的小挠度来实现垂直方向的位移。提出了与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺相兼容的制作方法,利用有限元软件ANSYS7.0对压电微镜的反射镜平整度、结构机械强度、线性度、响应速度和功耗等性能进行了研究,并与数值计算结果进行了比较,结果表明此微镜达到了快速、高精度、低功耗的设计要求。

摘要：描述了一种性能优越的SiC压力传感器的理论和仿真运用基于小扰度的解析模型计算出了这种传感器的应变分布。根据应变分布规律优化设计了传感器的力敏电阻。利用ANSYS软件分析了该传感器的一些重要特性。与传统的传感器 (圆膜传感器 )相比 ,量程为 5 0 0kPa的该传感器表现出优异的灵敏度 (2 4 8μV/V .kPa)和非线性度小于 0 0 8%。仿真结果与测量结果基本一致。

摘要：运用非线性理论及有限元方法(ANSYS)研究了矩形岛结构的应力和非线性。应力与矩形岛长度之间的关系表明使用矩形岛结构能使输出应力增大,可以提高灵敏度。应力的非线性随矩形岛长度增加而减小,矩形岛长度取接近应力最大值处的值。根据应变分布规律优化设计了传感器力敏电阻应变计。与常用的传感器(方膜传感器)比,设计为10kPa量程的SiC压力传感器显示出灵敏度高、非线性小和工作温度高等特点。

摘要：感应耦合等离子体技术以其低气压下产生高密度等离子体的能力及良好的可扩展性成为微细加工中的重要的加工技术之一。本文提出了一种新型的三段式线圈的设计方法 ,对激发电场进行了数值计算。结果表明设计的天线能够在径向和方向角方向上产生均匀性良好的电场 ,耦合效率较高。

摘要：讨论了通过合理设计的工艺流程将低k氟化非晶碳材料应用到制造工艺中作为互连介质对集成电路性能的影响。基于一个互连结构简化模型计算出采用低k氟化非晶碳材料作为互连介质后RC延迟、功率耗散和线间串扰的变化情况。采用低k氟化非晶碳介质后,RC延迟和功率耗散随着互连长度的增大而减小,线间串扰也得到显著抑制。

摘要：设计了一种工作于 0 .8V电源电压下与标准 CMOS工艺兼容的超低压运算放大器 ,对其电路结构和原理进行了分析。该放大器基于衬底驱动技术 ,采用衬底驱动 PMOS差分对作为输入级实现了 74d B的直流开环增益 ,66°的相位裕度 ,940μV的失调电压和 1 1 0～ 798m