摘要：设计了大尺寸输出节点和大尺寸放大器栅电容的CCD特殊输出结构,使输出节点总电容约为4.5×10;F,对设计结构进行了工艺试验。对输出节点电容进行参数校准、结构优化、流片试验、测试验证。试验结果表明,优化设计后的CCD电压转换因子精确地达到了0.352μV/e^(-),满足了航天系统紫外线阵CCD满阱容量需达到1.0×10;e;/pixel量级,饱和输出幅度在3.5~4 V范围,CCD的电压转换因子在0.35μV/e;亚微伏水平(比传统CCD低1~2个数量级)的特殊输出结构要求。

摘要：介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并通过不同剂量60Coγ辐照试验,验证了该模型在TDI-CCD器件抗辐射加固设计中的应用价值。

摘要：将12片自主研发的L3072UD型线阵CCD进行拼接,每片CCD的垂直转移脉冲(ΦP)、水平转移脉冲(ΦH1,ΦH2)和复位脉冲(ΦR)的驱动脉冲设计成相同的波形,通过电子快门的开启时间分别控制每片CCD的积分时间,且每3片CCD的驱动脉冲共用一个驱动,实现了一种12片CCD同时工作的光谱采集系统。将该系统应用于火花光谱仪,对样品的铜含量进行检测。实验结果表明,该CCD光谱采集系统能够实现2的铜含量检测精度,检测灵敏度高、通用性强,具有一定的推广应用价值。

摘要：硅基正照式CCD探测器的紫外谱段响应普遍较低。针对如何提高正照式CCD在340 nm^390 nm谱段的紫外光探测性能进行了研究。在研究中,对正照式紫外线阵CCD进行了透射膜层优化,达到了光敏区表面对紫外波段光减少反射的效果;对CCD光敏区的结构进行了设计优化,达到光敏区降低界面态干扰的目的;对HAD结构的结构参数进行了优化,获得了极浅结的HAD结构。通过减反射膜、光敏区结构、HAD结构等三个方面的优化,较大程度地提升了正照式CCD紫外谱段的相互作用量子效率,从而提升了CCD对紫外谱光探测的量子效率。研究结果表明,正照式紫外线阵CCD探测器在300 nm^400 nm谱段范围内平均量子效率达到46.13%,其中340 nm^390 nm谱段范围内平均量子效率从8.6%提高到了47.48%。

摘要：对影响CCD频率的3个主要因素进行了分析,给出了计算公式或仿真模型.这3个因素是:时钟线的RC延迟及电阻发热;信号电子在CCD信道里的迁移时间;CCD片上源跟随输出放大器的频率特性.此外,CCD驱动器的频率特性也是影响CCD相机的重要因素.