摘要：设计了一种采用0.6μmCMOS工艺的低功耗差动带隙基准电压源电路。在设计中采用两个pn结串联结构来减小运放失调电压的影响,并采用自偏置共源共栅运放来改善MOS器件对电源的依赖性。这种带隙基准源输出电压为2V,功耗为2.3mW,温度系数可达到13ppm/℃,主要适用于高精度模拟系统,并带有提高电源抑制比电路和启动电路。

摘要：介绍一款采用自定义指令集的RISC型MCU的设计与实现。整个设计采用数据和指令分开的哈佛结构,并采用了四级流水线以提高MCU的运行速度和效率。同时分析了该设计中的流水线所遇到的冒险问题,采取了一定的解决方案。该设计采用自顶向下的设计流程,使用硬件描述语言Verilog进行描述,通过EDA工具对设计进行相应的仿真,并最终在Xilinx的FPGA芯片上进行实现。

摘要：该文简要分析了峰值电流控制模式中斜坡补偿的基本原理和设计问题,对基本的充放电振荡器电路进行了改进和优化设计,设计了适用于恒频峰值电流模式BOOSTDC DC变换器斜坡补偿电路中的CMOS定时斜升波发生器电路.

摘要：本文设计了采用曲率补偿,具有较高的温度稳定性的高精度带隙基准电压源。设计中没有使用运算放大器,电路结构简单,且避免运算放大器所带来的高失调和必须补偿的缺陷。此外电路又采用了内部负反馈回路,使基准电压源工作一个稳定的电压下,从而提高基准电压源的电源抑制比(PSRR)。文中最后给出了此基准电压源的各种性能的仿真波形。

摘要：本文讨论了ｂｕｃｋ型半波式零电压准谐振变换器的设计方法，并给出了相应的输出为２０Ｗ，５Ｖ的实验电路、主要器件参数及实验结果．实验与理论吻合较好．

摘要：文章在对带隙基准基本原理与电路结构分析基础上,介绍了一种高精度、低功耗、高电源抑制比的BiCMOS带隙基准电压源电路。该电路的实现是基于0.6μm、5V的BiCMOS工艺。仿真结果表明,该基准电路稳定工作电源电压范围为1.9V^6.4V,在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-25℃至150℃时,温度系数为9.73×10-6,输出电压误差为1.72mV。

摘要：设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路,该基准电压源主要用于线性稳压器。在CSMC 0.6um工艺条件下,使用CADAENCE SPECTRE仿真工具进行仿真可得温度在20℃～80℃变化时,其输出电压变化率为0.25mV/℃;电源电压在4V～8V变化时,其输出电压变化率为6.25mV/V。

摘要：按通常的操作方法,使用 ATTRIB 命令修改文件属性,不仅费时,而且容易记错打错。为此,笔者编写了一个带参批文件,利用这个文件,可以十分方便地修改或显示文件的只读属性,从而避免文件被误改或误删而造成不应有的损失。比如,文件被设置为只读属性,使只可读出,而不可改写或删除。