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用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计
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《人工晶体学报》2004年 第5期33卷 712-716页
作者：蒲红斌 陈治明 李留臣 封先锋 张群社 沃立民 黄媛媛西安理工大学自动化与信息工程学院西安710048 
采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究。分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加...
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