摘要：通过对电流增益温度模型的分析，表明发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是低温下双极晶体管电流增益衰变的主要原因，提出了用温度比例因子设计低温基区轻掺杂双极晶体管的新设计方法，计算机模拟表明结果良好。

摘要：给出了微小流量传感器的数值模型,并进行了数值模拟。数值模型表明流体前端与末端两端点间距是提高传感器灵敏度的关键因素,数值模拟结果为微小流量传感器设计提供了两端点最佳间距。

摘要：着重分析了低温ＥＣＬ电路的直流特性和瞬态特性，并用低温双极晶体管温度比例因子设计规则，对低温ＥＣＬ电路进行了优化设计。

摘要：本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应，分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响，结合基区电阻的温度模型，对低温高速双极晶体管的优化设计作了探讨。

摘要：本文在对低温双极晶体管的直流特性的分析基础上,推导出ECL电路在低温下的直流解析模型,并与实验结果和计算机模拟结果进行了比较,还对SPICEⅡ模型在低温下的修正和低温ECL电路的设计进行了一些探讨。

摘要：本文对ECL电路的瞬态特性进行了较详尽的分析,给出了适于全温区的较精确的电路延迟时间表达式,并对影响t_(pd)的主要参数的温度特性进行了分析。该模型可用于各种温度下高速器件和电路的优化设计。

摘要：作为目前主流的WebGIS框架之一,Cesium提供了在三维虚拟地球场景中添加各种地理要素的能力。而专为Cesium设计的3D tiles,已成为Web端三维数据可视化和分析的主流规范。虽然3D tiles定义了瓦片的构建标准,但优化瓦片模型以降低三维场景的复杂度仍至关重要。本文引入了一种多要素图层融合技术来优化瓦片模型,并以上海市陆家嘴区域作为案例进行了效果验证。经过瓦片模型优化的陆家嘴场景在渲染效率方面有明显提升:请求次数和渲染时间降低了14%~26%,渲染数据量降低了17%~29%。研究成果可以为降低三维场景的场景复杂度和高效流畅地渲染三维场景提供参考。

摘要：导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标。从VD-MOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法。采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通过考察载流子运动规律,求解泊松方程,结合器件结构与边界条件建立外延层模型。该方法物理概念清晰,规避了经验参数,考虑了器件结构参数对导通电阻的影响。该模型与MEDICI模拟结果相比较有良好的一致性。

摘要：分析了场限环结构原理,总结了影响击穿电压的相关因素.采用圆柱坐标对称解进行分析,讨论了给定击穿电压情况下场限环结构的电场分布和峰值电场表达式及各种确定场限环个数的方法的.最后用流行的2-D半导体器件模拟工具MEDICI对器件终端进行相关模拟,尤其是表面电荷对带场限环的击穿电压和优化环间距的影响做了大量的分析模拟.得出的结论与文献中的数值模拟结果相符合,对设计优化场限环有一定的指导性.

摘要：基于国家对集成电路产业的大力支持,三江学院开设了集成电路版图设计课程,旨在提高微电子专业方向的本科生在集成电路版图设计中的实际操作技能.该文介绍了该课程的学生培养目标、理论及实践教学内容等建设情况,并进行了后期的规划与展望.该课程利用实际案例进行集成电路设计的电路仿真、版图设计、寄生参数提取、版图的后仿真等实践教学,对实践教学形式及内容进行大胆创新,目前取得了良好的教学效果.