摘要：设计提出了一种低温共烧陶瓷(LTCC)新型分形单元"chalipa"微带天线。该天线采用"chalipa"新型分形结构,分形单元由2个具有一定宽度的垂直交叉的"S"微带线组成,其垂直交叉的特性形成圆形旋转的贴片表面电流,从而使电磁场旋转产生圆极化辐射;微带线的宽度与探针的50Ω阻值相匹配,进一步提升天线带宽。仿真结果表明,该天线工作于1.268GHz时,阻抗带宽大于80MHz,天线的轴比小于0.5dB,且增益达到1.45dBi。

摘要：针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板上制造,中心频率为95.8 GHz,工作频段为90.3~98.6 GHz,峰值增益为10 dBi左右。

摘要：GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径。针对上述问题,详细论述了GaN器件热瓶颈的基础问题和片内微流热管理的重要性,并对近年来国际正在开展的片内微流散热技术研究情况进行系统分析和评述,揭示了微流体与GaN器件片内近结集成的各类设计方法、工艺开发途径和面临的技术难点,阐述了GaN器件片内微流热管理技术的现状和发展方向。

摘要：作为微波、低频信号垂直传输通路,硅过孔(Through silicon via,TSV)技术是实现射频微系统三维集成的核心技术之一。本文设计并加工了背靠背形式的TSV测试芯片,并使用探针台测试其射频性能。为了提取单个TSV垂直过渡结构的参数,对测试结果进行剥离。首先分析建立带冗余结构的等效电路模型;然后用多线TRL(Through-reflect-line)方法求得冗余结构的参数,代入等效电路模型中求解单个TSV垂直传输结构的传输特性;最后得到的TSV传输特性与仿真结果吻合,验证了剥离结果的合理性。

摘要：为了研究垫块结构PELE对混凝土靶的侵彻效果,采用数值模拟方法对不同尺寸和斜角的垫块结构PELE侵彻混凝土靶板过程进行数值模拟,对比各方案侵彻靶板后的开孔半径和剩余速度。结果表明,增加垫块结构后,PELE的侵彻效果相对0厚度即没有垫块时明显提高,在着速和垫块长度相同的条件下,垫块斜角越小产生孔径越大,厚度值较大的垫块相对较小的垫块剩余速度大,此结果可为新型PELE的设计提供一定的参考。