摘要：AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1-40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。

摘要：随着无线通信需求的不断增加,双频便携式电话和无线局域网被广泛应用,双带滤波器也成为这些通信系统前端的重要器件,其具有小型化、低功耗、高选择性等特点,非常适合应用于现代通信系统。该文主要研究微波双带带通滤波器的设计理论和研究方法,介绍近几年微波双带带通滤波器的研究与进展,并从电路结构特征及设计方法上对其进行了分类讨论,最后简要报道我们在双带带通滤波器领域的研究工作以及微波双频带滤波器的研究态势与未来的展望。

摘要：提出了一种有双阻带特性的新颖马刺线结构,它是由两个内嵌到微带线的非对称马刺线谐振器构成。这种非对称马刺线谐振器具有双带隙特性以及良好的慢波效应,可以通过调节上下马刺线的长度差调整双带隙特性。马刺线电路模型可以等效为LCR并联谐振器,其中电路参数可以从电磁仿真中获取。在NeuroModeler软件的帮助下,建立神经网络从而优化这种非对称马刺线谐振器,并且快速精确地获得两个谐振频率。同时该结构的马刺线有助于抑制微波功率放大器的高次谐波。通过设计制造两个InGaP HBT功率放大器具体地分析非对称马刺谐振器对它的影响。其中1个InGaP HBT功率放大器的非对称马刺结构位于输出端,另外1个InGaP HBT功率放大器的输出端仅用传统的50Ω传输线。实验结果显示:在输出端加入这种非对称马刺结构可以很好地将二次以及三次谐波抑制在27 dB以下,在需要放大的频率上,PAE(Power Added Efficiency)分别增加了6%-8%和1%-4%。

摘要：文章介绍了应用于射频微波系统的平面多模带通滤波器,结合最近几年国内外多模滤波器的研究成果,从平面多模带通滤波器的设计方法等方面阐述了各种多模滤波器的技术发展状态。