摘要：小康时代,卫生间到底怎样设计装潢,才是既美观又实用?既花钱不多又体现个性?国家卫生部在小康住宅标准中提出:要合理分隔卫生间,减少便溺,洗浴,洗衣和化妆洗脸的相互干扰.卫生间的功能已由单一的用厕向多功能的方向发展.

摘要：“问题是数学的心脏”，“提出一个问题比解决一个问题更为重要”．数学学习过程是不断提出问题、解决问题的过程．问题决定学习的方向、深度，问题提出的质量决定学习的质量，直接影响着教学效果与学生的思维方式．在教学中教师通过适时恰当的提出问题，给学生提问的示范，可使学生领悟发现和提出问题的艺术，逐步培养学生的问题意识，孕育创新精神．

摘要：在中学物理教学中，不同教师对同一内容的教学，在教学目的、要求、教材处理以及教学方法的运用上．往往有很大的不同。例如：高中“自由落体运动”的教学．该节是一般匀变速运动规律的应用．比前几节容易．因此，有的老师仅围绕下面3个问题组织教学：（1）自由落体运动的定义；（2）自由落体运动的加速度是g；（3）自由落体运动的规律。这种设计是从传授知识的角度考虑的。

摘要：InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)和Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)对比研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层InSe的硒空位、铟空位、溴替代硒、硫替代硒、碲替代硒、镓替代铟、锡替代铟和铊替代铟的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在缺铟和富铟条件下,硫替代硒和镓替代铟的缺陷形成能低且可以有效的降低体系总能,提高体系的稳定性.溴替代硒具有较小的缺陷形成能,但较大的体系总能表明溴替代硒的缺陷体系不稳定.在缺铟条件下易形成铊替代铟缺陷;在富铟条件下易形成碲替代硒缺陷.上述研究结果有助于理解点缺陷对Ⅲ-Ⅵ族化合物稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于InSe的高效的光电子器件提供理论依据.

摘要：二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要的调控,且体相二硫化铼的缺陷研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对体相二硫化铼的铼空位、硫空位、钨掺杂(或替代)铼、钨掺杂硫、锝掺杂铼和锝掺杂硫的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:钨掺杂硫和锝掺杂硫形成深施主能级缺陷,铼空位形成浅施主能级缺陷.在富铼和富硫条件下,钨掺杂铼的缺陷形成能低且能有效降低体系总能,提高体系稳定性.钨掺杂硫的缺陷虽然能降低体系的总能提高二硫化铼的稳定性,但较大的缺陷形成能表明钨掺杂硫缺陷难以形成.上述研究结果有助于理解缺陷能级对半导体深浅能级和稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于二硫化铼的高效的光电子器件提供理论依据.

摘要：Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而钙钛矿的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的铯空位、碘空位、氯空位、铯替代铅、碘替代铯、碘替代铅、碘替代氯、氯替代铯、氯替代铅和氯替代碘的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在富铅和缺铅条件下,碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能偏低,且氯替代碘能有效降低体系总能,提高体系稳定性.在缺铅条件下铯空位缺陷形成能低于富铅条件,在缺铅条件下更易形成铯空位;富铅和缺铅条件下对碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能基本无影响.上述研究结果有助于理解点缺陷对钙钛矿材料稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的高效的光电子器件提供理论依据.

摘要：历史课堂提问指在历史课堂教学中，教师根据教学内容和学生实际，有目的、有计划、有步骤地设计若干问题，利用问题引导学生学习，培养其历史能力，从而达到教学目的的一种教学手段和方法。通过提问，教师能够多角度、多层次地调动学生的积极思维，使教与学达到一种和谐的交流状态。

摘要：针对抽褶艺术的研究较多,但多在理论层面。从理论研究入手,通过对褶皱的意义、起源、形式和应用系统进行分析,在理论基础上进行抽褶元素服装的实践制作,从款式、细节、面料、色彩的角度提出设计方案,为此类服装设计优化提供参考。