摘要：高性能赝电容的发展需要从电子转移、电解质离子吸附和扩散方面全面理解电极材料.本论文结合第一性原理与转移矩阵法,以TiO_(2)为原型,通过引入各种缺陷,即氧缺陷(V_(O))和共掺杂缺陷(V_(O)+N_(O)),在综合考虑以上因素后获得了较高的赝电容.与本征TiO_(2)(300 F g^(-1))相比,有缺陷的TiO_(2)产生的赝电容高达1700 F g^(-1).此外,缺陷会使得表面能带弯曲减小电子传输势垒,H离子在TiO_(2)-V_(O)中显示出比在TiO_(2)-V_(O)+N_(O)中高得多的势垒,表明在共掺杂体系中H扩散更容易.这项工作为电解质离子的吸附和扩散以及缺陷对电子传输的影响提供了见解,对于下一代超级电容器电极材料的设计和优化具有重要意义.

摘要：基于在紫外光照下可变形的液晶高弹体与铁电驻极体材料,设计了一种光电转换器模型器件。该模型器件能实现在紫外光照射下的电信号输出功能。建立了光电耦合分析模型,并分析了紫外光光强对产生感应电荷的影响。结果表明,该模型器件可指导开发一种能够测量一定光强范围内紫外光强度的光电传感器。