摘要：选择合适的均压电容值是多断口真空断路器开断能力的重要保证。针对126 kV模块化三断口真空断路器,根据电位分布计算结果,分析确定采用U型布置方式。采用有限元法计算了U型三断口真空断路器的分布电容参数,并通过工频分压特性试验验证了计算的准确性,根据静态分压比计算结果选择了合适的静态均压电容值。建立了双断口真空断路器动态仿真模型,仿真结果表明:动态均压设计应该考虑残余电荷(residual charge,RC)的影响,其影响程度与各断口RC参数的差异特性有关。根据暂态恢复电压分配比计算结果选择了合适的动态均压电容值。综合考虑静、动态均压要求和其他相关因素,三断口真空断路器均压电容值选取为1000pF,并通过合成开断试验验证了均压的有效性。

摘要：为得到基于40.5kV光控模块单元的U型三断口真空断路器的动态分压特性,给合理选择均压措施提供参考,通过低压、小电流的合成开断试验测量了该断路器弧后瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV)的分配特性。同时通过试验验证了串接大电容使均压电容兼作分压器用的TRV测量方法的有效性。而对大电流弧后三断口真空断路器的TRV分配特性,基于连续过渡模型在PSCAD/EMTDC中进行了仿真分析。试验和仿真结果表明:小电流开断时,TRV分配特性与静态电压分配特性相近,静态均压设计可满足小电流开断的要求;大电流开断条件下,各断口残余电荷参数的差异可能对TRV分配产生显著影响;进行动态均压设计时,需要考虑断口不同期可能导致的TRV分配不均匀程度增大的问题。

摘要：为向基于光控模块的多断口真空断路器的静态、动态绝缘特性设计提供参考,建立三维有限元分析模型,计算126 kV U型布置的三断口真空断路器的静态电位分布和真空灭弧室内部的电场分布。利用110 kV振荡型合成试验回路,进行低电压、小电流三断口串联断路器样机的开断试验,测量三断口的瞬态恢复电压分布。计算和试验结果表明:三断口真空断路器的静态和动态电压分布不均匀,高压端断口的静态分压超过65%,串联样机进行试验时底部可以不安装支架;高压端断口的动态分压(瞬态恢复电压峰值)超过60%,1 000 pF均压电容可以满足低电压、小电流开断均压要求,高电压、大电流开断情况需进一步验证。

摘要：香稻是由于水稻种水稻甜菜碱醛脱氢酶(BADH2)基因的功能缺失突变引起的。根据香味等位基因badh2的功能性突变位点设计的功能性分子标记,为快速鉴定具有香味的水稻种质资源提供了可能。本研究利用香味等位基因badh2-E2和badh2-E7的功能性分子标记InDel-E2和InDel-E7鉴定了33个杂交粳稻不育系和35个杂交粳稻恢复系材料的基因型,获得了12个含有badh2-E2等位基因不育系和4个含有badh2-E7等位基因恢复系材料。在此基础上,分别选择了3个不育系和3个恢复系,配制了5个全香型的杂交粳稻,为香味杂交粳稻的推广应用提供了理论依据。

摘要：高温是影响水稻的产量和品质的重要环境因素之一。26S蛋白酶体能消除细胞毒性变性蛋白,是水稻应对高温热激的一个重要机制。水稻TT1基因编码26S蛋白酶体的α亚基,非洲栽培稻和亚洲栽培稻TT1等位基因中的一个SNP位点造成精氨酸到组氨酸(R99→H99)的改变,使得非洲栽培稻具有更强的耐高温性。本研究根据TT1基因功能性SNP位点设计dCAPS标记TT1-P2。利用TT1-P2标记对申9B、NIL(CG14),及其杂交F1代的TT1基因型鉴定,结果TT1-P2标记鉴定的基因型与测序的结果一致。用TT1-P2标记对杂交F2代群体的TT1基因型鉴定,发现TT1WYJ、杂合型和TT1CG14这3种基因型符合1∶2∶1的分离比。这些结果表明TT1-P2能准确的鉴别TT1的基因型,可用于耐高温水稻品种的分子标记辅助育种。

摘要：水稻起源于热带和亚热带地区,因此水稻对低温胁迫比其它农作物更加敏感。低温可以影响水稻生长发育的各个时期。特别是在温带和高纬度地区,低温冷害是影响水稻生产的重要环境因素之一。培育种植耐低温的水稻品种是解决低温冷害的一个重要手段。水稻耐冷基因COLD1编码一个G蛋白信号调节因子,该基因中起源于中国野生稻的SNP2位点,使粳稻具有更强的耐寒性。本研究根据COLD1中SNP2的序列多态性,开发与耐低温基因COLD1共显性的dCAPS分子标记,并利用7个水稻品种和96个籼粳交F2个体验证标记的准确性。实验结果证明本研究中设计的dCAPS分子标记能准确的鉴定粳稻COLD1^jap基因型、籼稻COLD1ind基因型及杂合基因型,可应用分子标记辅助育种工作。