摘要：研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应,探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系.实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标,满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求.此外,通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究,对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进,具有参考作用.

摘要：为全面评估航天型号用元器件的抗辐射性能,对InGaP/GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)的单粒子效应进行了仿真研究。首先,介绍了空间辐射环境中重离子诱发器件产生单粒子瞬态脉冲的机理。然后,建立了InGaP/GaAs HBT器件三维仿真模型,并利用蒙特卡罗方法模拟了不同能量的C、F、Cl、Br、I等重离子在器件中的射程和LET值。最后,基于ISE-TCAD仿真软件对器件的单粒子瞬态脉冲电流曲线进行了仿真和分析。结果表明:重离子在器件中产生的集电极瞬态脉冲电流可达几百微安,集电极瞬态脉冲电流与重离子的能量成反比,与离子的原子序数成正比。由此可知,InGaP/GaAs HBT器件对单粒子效应比较敏感,且对不同重离子的敏感程度不同。这可以为航天型号用元器件的设计选型和可靠性评估提供技术支撑。

摘要：输出电容是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数.在开关应用中,根据输出电容Coss来确定器件的开关损耗具有一定的局限性.为了准确地评估器件的开关损耗,研究了功率MOSFET的有效输出电容Coer和Cotr及其测试方法.首先,以液压模型理论为基础阐述了器件参数Coer和Cotr的具体含义,并完成相应的测试电路设计.然后,建立了基于测试电路的数值计算模型;为了保证测试精度,模型中充分考虑了电压测试电路产生的负载效应.最终,采用该方法对器件的有效输出电容进行测试和计算.实验结果表明,该测试方法能对功率MOSFET的有效输出电容进行可靠测试.

摘要：为提高图像采集质量的一致性,降低图像比对分析的难度,提升图像比对分析识别电子元器件真伪的试验效率,研究并设计了一套基于WIN7系统的图像采集和质量分析系统。该系统由acA2500-14gc相机、MLH-10X镜头、LED光源、电机、可编程逻辑控制器、计算机、以太网络等组成。验证及应用结果表明,该系统可快速采集电子元器件多角度的、清晰的、成像效果一致的图像,网络存储、调用过程稳定,并在软件中集成了不同图像间的比对分析功能,解决了电子元器件真伪识别的瓶颈问题,试验工作效率提升到60%以上。

摘要：随着我国航天高速发展,电气系统电源架构和技术指标趋于多样化,作为核心元器件之一的电源转换器为电气系统提供高精度电压和大负载,其使用数量大幅增加。电源转换器呈现出电压、电流范围广、引脚接口多样化、精度与质量可靠性要求高等特点,逐渐暴露出传统测试平台在大功率电源转换器方面的测试问题,主要表现为测试精度低。通过高性能接口创新设计研究工作解决大功率电源转换器结构复杂、引脚接口多样化、电压高、电流大、精度高等检测难点,实现准确高效测试评价。

摘要：阐述A3型圆形封装器件振动、冲击试验载具的设计方法,设计优化点,实现方法,试验载具的实现,从而解决了A3型圆形封装器件振动、冲击可试验的问题,对该型器件在工程的应用起到有效作用。

摘要：一个纯正知识分子的人格映象——孙犁创作的文化探源张景超温汉生在革命文学的创作中孙犁是一位相当能经得住时间打磨的作家。即使用今天的价值观念和艺术观念去检视，他的作品能够在文学史上留名的也远比他同时代的许多作家都多。人们曾热烈地谈论过曹禺现象、何其芳现象...