文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化: 收藏
分享
引用; 《通讯世界》2024年第7期31卷 1-3页; 作者：王永维黄柯月温恒娟陈浪涛周锌中国电子科技集团公司电子第十三研究所河北石家庄050051 北京国联万众半导体科技有限公司北京101318 电子科技大学集成电路科学与工程学院四川成都611731 北京振兴计量测试研究所北京100074; 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟...; 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。; 来源：详细信息评论

创享空间: 收藏
分享
引用; 《动漫界（幼教365）》2020年第47期 60-61页; 作者：曹诵莞郭彩霞(指导) 马佳璇张华(指导) 温若兰袁华(指导) 陈昶旭杨素丽(指导) 芦誉阳吴凯艳(指导) 王嘉悦喜亚敏(指导) 魏梦阳张义辉(指导) 马祺雯李志宏(指导) 石浩冉娄盼盼(指导) 余莉(指导) 张森棣朱姗姗(指导) 樊欢欢(指导) 刘馨月陈旭(指导) 姬爽(指导) 刘柏秋张新飞(指导) 沈梓涵郑珊(指导) 刘胜男(指导) 巩侑宸李玥涵孔丽丽(指导) 王琦(指导)不详; 来源：详细信息评论

限定检索结果