摘要：在激光驱动的惯性约束聚变(ICF)实验中,中子针孔成像能够为不同靶丸设计的性能提供重要的诊断信息。为了能够在实验上获得较好的结果,需要实验前对各种针孔设计方案进行定性和定量的判断。成像的理论计算可简单分为针孔成像和图像解谱两部分,为了解决成像的针孔设计问题,基于蒙特卡罗方法建立了一套模拟中子针孔成像过程的程序,并且通过编写的图像显示程序可以直观地观察到记录介质所成的2维图像,同时可以对图像的某些参数进行判读。

摘要：半影成像具有灵敏度高的特点,该技术是未来惯性约束聚变(ICF)中子成像的主要技术路线。基于中子半影成像的基本要求,利用蒙特卡罗方法,采用偏移抽样法和面通量的体通量替代技巧,模拟中子在半影成像系统中的输运,得到2维图像,并通过图像重建程序得到重建的源区图像。利用模拟结果,对编码孔屏蔽材料的选择和外径设计进行了初步优化,最终选择5 cm厚的钨屏蔽材料,其编码孔外径为1 cm。

摘要：在设计可用于测量质子、α粒子以及其他重带电离子能谱的Thomson谱仪的过程中,研究了带电离子在谱仪电场和磁场作用下的运动轨迹,开发了相应的计算机辅助设计软件。CR39固体径迹探测器作为离子记录介质,离子径迹在记录面呈现抛物线带状分布,研究了由抛物线带状分布回推离子能谱的数据处理方法。

摘要：根据BaF2晶体闪烁光快、慢成分波段的不同,设计并制备了用于抑制该晶体闪烁光慢成分的 Al2O3/MgF2/Al/MgF2…光子带隙膜系。实验结果显示:加载光子带隙膜系的BaF2晶体,其闪烁光快/慢成分 比提高80倍以上;经剂量为1×105Gy的60Coγ射线辐照后,其透射光谱、发射光谱和发光衰减时间谱没有明 显的变化,这表明由光子带隙膜系与BaF2晶体所构成的快闪烁器件不仅可有效避免慢成分的干扰,而且还具 有很强的抗γ辐射性能。

摘要：介绍旨在抑制BaF2 闪烁体慢发光成分 ,拓展其应用领域的紫外滤光膜系设计和性能测量结果 ,研究表明 ,以Al2 O3 MgF2 Al MgF2 为基本结构优化设计的紫外滤光膜系对来自BaF2 闪烁体不同角度入射的快 慢成分光分别具有高透射和强截止特性 .还提供了用纳秒级脉冲辐射源激发“BaF2 +紫外滤光膜系 +光电闪烁探测器”系统获得的BaF2 闪烁体时间响应曲线 。

摘要：为了测量ICF内爆实验聚变反应的时间过程，建立了计算机MonteCarlo光线追迹程序进行光学辅助设计，研制了主要由BC422塑料闪烁体、消色差透镜组、皮秒条纹像机和制冷增强CCD组成的超快脉冲中子探测系统，其时间响应＜40ps。闪烁体与靶丸的最短距离可达2cm，测量下限中子产额为～108。