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CMOS应用电路设计要点(三)
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《世界核地质科学》1985年 第2期17卷 62-66页
作者：铃木八十二 佐佐木逸夫 滝本一三 张乃昌 
CMOS-RAM的特性和应用制做存贮器板需注意的问题前面讲了存贮器板的制造,然而这时还要注意: 同TTL逻辑电平的兼容 CMOS-RAM全部与TTL兼容输入,即由于设定高电平输入电压VIH低于2.2V,所以TTL逻辑能直接驱动CMOS-RAM。
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