摘要：单相电力电子变压器(PET)隔离级传输二次脉动功率较少且不可控,使其直流侧出现较大幅度的二次纹波电压,将影响系统供电质量以及供电可靠性。在传统双主动桥(DAB)降阶等效模型中加入开关电阻、变压器磁化电感和铜耗电阻,提升了二次脉动功率传输的准确性;在DAB控制中,电流内环采用比例-积分-谐振(PIR)控制,并引入低压直流侧二次纹波电流前馈,使高低压直流侧二次脉动功率向负载侧稳定传输,高低压直流侧二次纹波电压幅值显著减小;为加快控制器动态响应速度,对控制器关键参数进行优化设计,最后通过仿真和实验验证了所提方法的有效性。

摘要：本文以广州市地铁黄沙车站上盖商住楼发展项目这一超限工程为工程背景。此工程集超高、扭转不规则、竖向构件不连续(转换层)等超限情况于一体。通过对其进行整体结构的静力弹塑性分析Pushover,得到该结构的地震反应破坏机理,对该结构的整体抗震性能进行了评估。

摘要：本文结合某高层住宅小区结构方案设计,重点介绍了其中超长地下室及复杂转换层设计等技术难点及解决办法。

摘要：本文介绍钻孔灌注桩—筏基础在高层建筑中的应用,对在工程地质复杂场地下基础形式的选用进行了探讨。

摘要：零重力按摩椅具有极佳的按摩体验,基于有限元的工程结构分析能极大地提高按摩椅椅架结构设计的效率并能辅助工程师进行优化设计。本文根据零重力按摩椅的特点,对其椅架进行了结构设计,结合按摩人体动力学,研究了按摩椅工作过程中的受力情况,并且为保证按摩椅在特殊工况下不因外界冲击造成损坏,研究了按摩椅等效冲击条件。基于工作过程及特殊工况下的等效作用载荷,通过有限元方法分析椅架的强度和刚度,研究按摩椅结构强度薄弱处,并进行试验验证,为按摩椅椅架结构优化再设计奠定基础。

摘要：在分析连铸设备电液速度伺服系统控制原理的基础上,建立了系统的数学模型。主要对基于MATLAB环境的PID控制器的设计步骤做了详细介绍,提出了其设计思路和需要注意的问题,并通过仿真对加入PID控制器后的系统性能进行了分析,结果表明该伺服系统能够达到预期的设计要求。

摘要：热氧化是碳化硅晶片工艺中一种常用的工艺,但基于硅工艺的氧化温度一般都相对较低,此温度下,碳化硅氧化缓慢,在很多情况下很难满足工艺需求。利用新设计的高温氧化设备对碳化硅晶片进行不同温度下的氧化实验。实验结果显示,高温下,碳化硅氧化速度加快,温度的增加对氧化速度影响极大,以1 200℃时的氧化速率为基准,1 250℃时的氧化速率是1 200℃时的1.5倍;1 300℃下的氧化速率能达到1 200℃的2倍;而在1 350℃时,氧化速度已经将近1 200℃时的3倍。

摘要：为了实现在线监测软件中监测数据的实时显示,讨论了采用VB6.0编程软件将监测数据以二维曲线的形式实时地显示在软件界面上的一种设计方法。该设计方法简便易行,在齿轮箱状态监测软件中得到了实际的应用,并取得了良好的效果。

摘要：SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效。设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现18°左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶。实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性。

摘要：采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。