摘要：本文提出应用于Mems可靠性测试电学测量系统方案,制作单片机测量装置,完成LABVIEW程序对其控制。完成对Keithley4200SCS半导体参数分析仪的控制,为电学测量实验设计打下基础。运用温度PID控制原理解决环境控制问题,寻找出精确的电阻测量方案。讨论疲劳试验结果,疲劳实验中主测梁电阻未发生明显变化,实验中温度控制达到预期目标。

摘要：笔者提出的卷积神经网络所对应的计算流程具有较高的复杂度,为了突破嵌入式设备资源的限制,现提出一种高效卷积神经网络电力设备检测方法。基于红外图像目标检测相关理论知识,完成对目标检测模型的科学设计。从数据集、硬件环境、结果分析3个方面入手,对卷积神经网络的高效性和可靠性进行实验验证。结果表明,所提出的卷积神经网络电力设备检测算法具有较高的可靠性和有效性,符合嵌入式设备视频处理相关标准和要求。通过这次研究,希望能为相关人员提供借鉴。

摘要：高低温循环退火是降低碲镉汞(HgCdTe)材料位错密度的有效策略之一,被广泛用于提升HgCdTe质量。使用离位的高低温循环退火工艺对硅基HgCdTe材料进行热处理,并通过设计正交试验研究退火条件对HgCdTe材料的影响。在温度区间250~450℃、升温时间5 min、循环12次的条件下获得最佳退火效果。采用统计位错密度的方法对比退火前后HgCdTe材料的位错变化。与未退火的HgCdTe相比,退火后的HgCdTe位错密度降低了80%左右,为1×10^(6)~2×10^(6)cm^(-2)。X射线摇摆曲线测试结果表明,退火后硅基HgCdTe的半峰宽可降至75~80 arcsec。本研究综合提升了硅基HgCdTe的质量,为焦平面器件的研发提供了高质量的材料基础。