摘要：近年来,建筑市场的竞争力逐渐增大,从企业的角度来说,不仅要扩大市场占有率,还要从源头上进行成本管理,也就是造价控制工作。造价控制是一种主动的管理行为,它需要从工程的整体进行考虑,涉及到的知识和内容非常多样,而且影响因素较多,在控制的过程中有一定的难度。针对目前建筑工程中的造价控制来说,问题是非常多的,没有达到预期的效果,需要对此进行分析。

摘要：标准IEC60335-1中22.5条款规定打算通过一个插头来与电源连接的器具,其结构应能使其在正常使用中当触碰该插头的插脚时,不会因有充过电的电容器而引起电击危险。对于额定电容量不大于0.1μF的器具可豁免此条款,通过查阅文献本文详细解读了标准中选择0.1μF和34V作为限值的机理,并结合实际检测案例分析了几种常见的试验现象产生的原因。作为设计人员理解影响检测结果的原因能使用产品在设计阶段得到很好的控制,检测人员理解限值选择的原因能从根本上对检测结果进行分析,本文为相关的设计检测人员提供指导和参考。

摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO_2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO_2界面在低能区(即红外区)的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显著影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO_2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO_2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO_2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考.

摘要：从泡沫特性入手,探讨了影响发泡力和寿命的原因,从理论上分析解决泡沫问题的可能用途,并且通过实验加以证实.对不同配方的发泡力、泡沫稳定性以及净洗效果进行了比较,测试结果表明m[皂基(自制高碳链不饱和酸盐)]:m(烷基苯磺酸盐):m(平平加O)=5～8进行复配,可以得到泡沫少、破灭快,净洗效果好的高效低泡净洗剂.若加入消泡剂效果更佳,可降至17s,同时具有除浮色能力强等特点.

摘要：美术教育对教师的要求较高,教师不仅要在正常的课时内传授绘画知识,还要传授绘画的技能,要求学生不仅做到"形"似,更要做到"神"似的飞跃。所以,在美术教育中激发学生的学习积极性就显得尤为重要,可以达到事半功倍的效果。

摘要：南京中国科举博物馆位于中国古代最大科举考场——“江南贡院”旧址,是夫子庙历史文化街区的重要组成部分,自1905年科举制度被废,贡院土地先后被现代建筑占据,仅存明远楼等少数遗存均淹没在仿古建筑群中,真假难辨、保护堪忧。