摘要：GaN不仅具有与硅媲美的较高声速,而且也有与氮化铝相当(AlN)的大压电系数,所以是制作MEMS谐振器的有力备选材料.研究设计了一款硅基压电氮化镓(GaN)MEMS谐振器.利用GaN中的二维电子气(2DEG)可作为开关嵌入电极的特性,通过GaN压电材料实现由电极、压电薄膜、电极组成薄膜微机械谐振器.工作时在两个电极之间的压电薄膜内产生厚度剪切振动模式,压电薄膜内部就形成了振荡,通过压电效应的正交应力(σx和σy)能够提供相关的应力场从而增加机电共振.使用微机电系统技术和平面加工工艺对谐振器进行了制作,GaN谐振单元物理尺寸90μm^(2).采用了无需加载功率对于谐振器无损伤的XeF2气体释放硅基底(111)形成了GaN谐振器,这样能够减少谐振器的粗糙度、较小残余应力,避免杂质和缺陷造成的散射.测试表明,谐振频率为12.56 MHz,谐振腔的品质因数为3600.

摘要：为减弱栅极电压过冲振荡,避免功率管在导通和关断过程中对系统以及其他电路产生的电磁干扰,提出了一种新型功率管驱动电路。该电路通过逻辑信号的分段控制,使得被驱动功率管缓慢开启和关断。研究了传统功率驱动电路的模型与工作过程,分析了功率管导通损耗的来源,提出驱动电路的要求,详细阐述了所设计的驱动电路的工作原理与工作过程。整个驱动电路采用0.18μm工艺在平台Cadence Spectre仿真并通过PCB板测量实现。理论与仿真结果表明,该设计可以有效达到减弱功率管过冲与振荡的要求,保证系统的稳定。