摘要：基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,提出了一种适用于无源UHF RFID标签芯片的CMOS整流器。与传统二极管连接方式的MOS管相比,使用了一种不同的二极管连接方式的MOS管,减小了阈值电压和漏电流。利用新结构实现了一个5级电荷泵整流电路。测试结果表明,当输入0dBm信号时,整流器的转换效率为29.24%。整体芯片的面积是(0.7×0.6)mm2。

摘要：设计了一种工作在2.4GHz的CMOS高电压整流器。采用四级NMOS二极管连接的电荷泵结构,从器件选型、尺寸、负载阻抗等方面,对整流器进行优化设计,提高了输出电压与功率转换效率。另外,在实际设计中考虑了封装管脚的寄生效应,消除了封装对匹配的影响。该整流器在CSMC 0.153μm CMOS工艺下进行流片和测试。结果显示,该整流器在2.4GHz频段附近S_(11)<-10dB,匹配良好,功率转换效率的峰值为21.3%,输出电压为4.6V。

摘要：介绍了一种工作在900MHz ISM频段的低电压低功耗射频接收前端,包括一个自偏置反相器结构的低噪声放大器和一个开关跨导型混频器.低噪声放大器利用电流复用技术以有限的电流实现较高的增益.混频器采用开关跨导技术、电流复用技术以及动态阈值电压技术以实现低电压低功耗.该射频接收前端在180nm CMOS工艺下流片并测试,测试结果显示,该射频接收前端在840~960 MHz频段内S11<-10dB,实现了22.5dB转换增益及8.5dB单边带噪声系数,输入三阶交调点为-10.1dBm,在0.8V电源电压下消耗2mW功耗.