摘要：针对转子系统的非线性恢复力模型与非线性振动控制问题,采用变宽度与变形状的隶属度函数构成的模糊规则的模糊PID控制的电磁作用器,实现对转子系统的非线性恢复力的处理和非线性振动的完全控制。使用具有非线性恢复力的轴承和电磁作用器的Jeffcott模型,进行转子系统的非线性振动控制的仿真计算,并通过使用模糊PID与传统PID两种控制方法的仿真及比较,表明使用所提出的模糊PID控制器能对非线性恢复力进行自学习的模糊处理和实现转子系统的主谐波和分数谐波区域的完全振动控制,也强化了转子系统的适应能力。

摘要：刘默耕老师说过：“就教学来说，教师的职能不再是‘教儿童念书’，也不再是一味地通过语言文字的中介来传授，而是要为儿童精心设计所要认识的实际事物的‘有结构的材料’，即能体现一定科学概念的材料，指导儿童去探索。”可以看出，如何合理地选择和使用材料，对于科学教育有着密切的关系。

摘要：航天集成电路是空间电子系统的核心部件,抗辐射加固技术是保障航天集成电路在空间环境可靠工作的核心技术。随着电路特征尺寸缩小至纳米尺度,单粒子效应逐渐成为制约航天集成电路抗辐射能力的最主要因素。北京微电子技术研究所团队以设计加固方式作为航天集成电路抗辐射研制技术路线,基于在重离子加速器上获取的大量单粒子试验数据,提出新工艺新器件的单粒子效应试验评估新方法,开展测试分析技术和辐射效应规律研究,为加固技术研究提供准确基础信息,检验设计加固技术有效性,揭示单粒子辐射损伤机制,为优化加固提供指导,最终形成高可靠、长寿命航天集成电路产品提供了关键支撑。

摘要：提出一种基于Labwindows/CV17.0虚拟仪器开发环境,利用多线程技术、ActiveX技术以及SBS实时光网搭建半实物仿真试验控制台系统的方法。该方法在某型无人机地面半实物仿真试验中得到了很好应用,并为今后搭建半实物实时仿真试验提供了依据。

摘要：为探求大型泵站竖井流道的标准化水力设计方法,对基于规则化设计的竖井进水流道进行了三维湍流数值模拟,研究9个不同工况下的流道内部流动特性,揭示不同水平截面和纵向截面的流速分布,分析水泵入口断面的速度分布均匀度、加权平均入流角以及流道水力损失随流量变化规律。结果表明:竖井进水流道流线平顺,水流均匀渐缩,无漩涡或脱流,流态良好;水泵入口断面的速度均匀度和入流角度随流量变化很小,其平均均匀度Vu=95.46%,入流角度?=87.94°;流道水力损失随流量增大而增大,但局部阻力系数随流量增大而减小。设计制作了透明模型进水流道,测得9个不同流量下的流道水力损失,比较了数模与试验结果,并观测流态。由模型进水流道的试验结果可得出,流道水力损失较小,局部阻力系数2?6.249 10???,未见不良漩涡,数值结果与试验结果基本吻合。开展了竖井流道模型泵装置的能量特性试验,测得5个叶片角度下模型泵装置Q-H、Q-P和Q-η曲线。试验结果表明,模型泵装置在特低扬程较大的范围内均具有较高效率,其中在叶片角-2°、装置扬程1.83 m时的最高效率可达80.52%。该研究可为大型泵站竖井流道的水力优化设计提供参考。

摘要：提出了两个抗单粒子翻转(SEU)的锁存器电路SEUT-A和SEUT-B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。两个电路功能的实现都没有特殊的器件尺寸要求,所以都可以由小尺寸器件设计完成。提出的结构通过标准的0.18μm工艺设计实现并仿真。仿真结果表明两个电路都是SEU免疫的,而且都要比常规非加固的锁存器节省功耗。和传统的锁存电路相比,SEUT-A只多用了11%的器件数和6%的传输延时,而SEUT-B多用了56%的器件数,但获得了比传统电路快43%的速度。

摘要：为提高28 nm体硅工艺下的触发器的抗SEU能力,针对28 nm集成电路的版图空间布局加固技术进行了研究,基于敏感节点对分离和电荷补偿原理,设计了2种抗辐射加固触发器版图结构。同时设计了3种不同敏感节点对分离距离和采用电荷补偿原理加固的触发器链,通过流片和封装后对芯片进行了抗单粒子翻转试验。试验结果表明,采用的2种版图加固方法可使单粒子翻转数下降95%以上;当入射重离子LET值为37 MeV·cm^(2)·mg^(-1)时,电荷补偿原理的版图加固结构抗单粒子翻转性能更强;28 nm工艺下,版图加固最优敏感节点对的距离为3倍标准单位距离。

摘要：针对多客户端对数据采集卡同时进行测试和诊断的问题,设计了VxWorks下的分布式测试系统。介绍了该系统的结构和原理,重点阐述了并发服务器的设计以及应用双缓冲方法接收并处理数据,最后介绍了VxWorks操作系统下驱动程序的开发。其测试结果验证了该方法的可行性。

摘要：基于28 nm体硅CMOS工艺,设计了双路滤波的触发器(flip-flop,FF)结构,在传统的双互锁存(dual interlocked cell,DICE)加固基础上,对数据、时钟及复位信号均引入双路滤波结构。为研究不同滤波宽度的加固效果,设计了不同的滤波梯度。试验结果表明:当LET值为13.1 MeV·cm^(2)·mg^(-1)的Cl离子和LET值为37.3 MeV·cm^(2)·mg^(-1)的Ge离子分别辐射时,对该加固触发器电路分别以不同滤波宽度对SET进行滤波,可完全抑制SEU,且滤波宽度越大,加固效果越显著。

摘要：随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm体硅工艺单粒子瞬态脉冲宽度检测电路,包括数字电路中常用的反相器、与非门和或非门3种类型的组合逻辑单元,并考虑了驱动能力和输入个数,电路还包括宽量程和高精度的脉冲宽度检测结构。经单粒子效应试验,获得了单粒子辐射在不同逻辑单元中产生的脉冲宽度。试验结果表明:测试电路中的最大脉冲宽度为234 ps,器件组合形式及版图风格等因素导致脉冲宽度不同。分析了器件叉指结构和P管串联结构等组合形式或版图风格对脉冲宽度的影响。