摘要：叙述了集成电路制造技术的发展及低介电常数(κ)金属介电层的研究背景,回顾了传统SiO2作为金属介电层所面临的问题,低κ材料取代传统SiO2介电材料是解决上述问题的有效方法。分析了低κ材料的性能要求,论述了改性SiO2基介电材料、氟化非晶碳材料、有机介电材料和复合介电材料4大类低κ材料国内外研究进展,认为现有的各种低κ材料都存在一些优缺点,表明获得综合性能优异的低κ材料才是最终目的。认为可通过分子设计制备低κ材料,研究分子结构与性能之间的关系,从而摸索出适合低κ材料的研究方法。

摘要：基于当前医疗领域对颅内压(intracranial pressure,ICP)测量的迫切需要,设计并制造了一款量程为-10~50 kPa的绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)压阻式压力传感器.根据硅的压阻效应原理和小挠度变形理论,完成了传感器的整体结构设计,采用微电子机械系统(micro-electromechanical systems,MEMS)加工工艺完成了敏感芯片的制备,并结合柔性印刷电路板(flexible printed circuit,FPC)和生物柔性硅胶技术对芯片进行了放大补偿和封装.最后对其进行了压力疲劳循环测试,测试结果表明:FPC封装的压力传感器在常温环境下具有较低的非线性误差、迟滞性和重复性,经过放大后的输出灵敏度可以达到3.706 mV/kPa.