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VO_(2-x)N_y薄膜的主要制备工艺参数与相变温度系数: 收藏
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引用; 《半导体光电》2007年第4期28卷 512-515页; 作者：陈金民黄志良刘羽王升高武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室湖北武汉430073; 选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO2-xNy)薄膜。通过正交试验设计对制备VO2薄膜过程中的主要影响因素(反应时间、反...; 选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO2-xNy)薄膜。通过正交试验设计对制备VO2薄膜过程中的主要影响因素(反应时间、反应压力、反应功率和N2/H2流量比)进行了分析研究。试验结果表明,VO2薄膜的最终的相变温度明显受到反应时间、反应压力、反应功率和N2/H2流量比的影响。其中以反应时间影响作用最为显著。经分析得到使VO2薄膜具有最低相变温度的优化工艺为:反应时间为7 min,反应压力为1.5 kPa,反应功率为100 W,N2/H2流量比为5/20(mL/min)。文中对试验结果进行了简单讨论。; 来源：详细信息评论

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