摘要：针对樽海鞘群算法寻优迭代过程中存在容易陷入局部最优、收敛速度慢的问题,提出一种改进的樽海鞘群算法.引入Tent混沌映射初始化种群来提高算法迭代前期的收敛速度,通过惯性权值"阶梯式"调整策略来更好地兼顾算法全局探索能力和局部开发能力,通过模拟退火增强樽海鞘群算法迭代后期跳出局部最优解的能力,以基准测试函数和磁导航自动导引车模糊控制器参数寻优问题为例测试了算法性能.仿真结果表明,对于单峰和多峰测试函数,改进后的樽海鞘群算法具有更快的收敛速度和更强的全局寻优能力.相比较标准樽海鞘群算法的参数调节法,改进后的樽海鞘群算法所设计的磁导航自动导引车模糊控制器对磁偏差值控制性能更为优化,在控制器设计方面具有潜在的应用价值.

摘要：自动导引车(AGV,Automated Guided Vehicle)系统数学模型的建模准确性是影响AGV控制精度的重要因素。传统AGV在系统结构未知下采用PID控制算法进行控制,其控制器参数主要依靠人工试凑,工作量大、鲁棒性差、难以达到较高的控制精度。为解决这一问题,针对磁导航AGV的实际工程需求,应用ARX模型及参数辨识方法对磁导航AGV进行建模。基于所辨识出的模型,采用一种基于混合粒子群算法(HPSO,Hybrid Particle Swarm Optimization)对磁导航AGV的PID控制器参数进行寻优。并以积分误差准则(ITAE)作为误差性能指标,对试凑法、标准PSO、HPSO所寻最优参数对磁导航AGV的仿真及实际应用控制效果进行了比较。结果表明:采用HPSO方法所设计的PID控制器控制效果比试凑法和标准PSO法更理想。具有较好的控制性能指标,能够提高控制系统的适应性和鲁棒性,具有一定的实际工程价值。

摘要：发酵床养猪法是考虑到以家庭为单位进行适度规模生产而设计的养殖方法。鉴于此法以资源可持续利用和生态环境保护为前提，运用系统工程方法和其他现代方法进行集约化管理，使其具有综合开发利用资源、物种配置多样化、高产、优质、元污染，又顺应生猪福利需求等特点。

摘要：针对当前电力巡检机器人实时姿态测量和导航控制问题,设计了基于STM32F767和MEMS传感器ADIS16405的捷联惯导姿态测量系统。在姿态解算中单独使用陀螺仪或加速度计和磁力计求解姿态角存在精度较低、易受外界条件的干扰、稳定性差等问题,采用卡尔曼滤波并将多传感器的数据进行融合的方法可有效地避免上述问题。首先,STM32F767与ADIS16405通过SPI通信协议采集角速度、加速度、磁感应强度等数据,并进行姿态解算。然后,利用MEMS陀螺仪的数据建立四元数方程,使用四阶龙格-库塔法求解姿态角,根据加速度计和磁力计采集的数据作为观测值进行卡尔曼滤波。将卡尔曼滤波和互补滤波融合后的姿态角的精度进行比较,转台仿真实验表明:卡尔曼滤波的精度较高,角度误差保持在1°以内。因此,融合后的数据有效地抑制了噪声,提高了姿态角的解算精度。

摘要：详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。

摘要：The effects of key geometrical parameters on the performance of integrated spiral inductors are investigated with the 3D electromagnetic simulator *** varying geometrical parameters such as the number of turns(N),the width of the metal traces(W),the spacing between the traces(S),and the inner diameter(ID),changes in the performance of the inductors are analyzed in *** reasons for these changes in performance are *** results indicate that the performance of an integrated spiral inductor can be improved by optimizing its *** design rules are summarized.

摘要：硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.

摘要：本文设计了一种基于Franz-Keldysh(FK)效应的GeSi电吸收调制器.调制器集成了脊形硅单模波导.光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层.在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%,从而使得器件工作在C(1528—1560nm)波段.模拟结果显示该调制器的3dB带宽可达64GHz,消光比为8.8dB,而插损仅为2.7dB.

摘要：A multi-finger structure power SiGe HBT device （with an emitter area of about 166μm^2） is fabricated with very simple 2μm double-mesa technology. The DC current gain β is 144.25. The B-C junction breakdown voltage reaches 9V with a collector doping concentration of 1 × 10^17cm^-3 and a collector thickness of 400nm. Though our data are influenced by large additional RF probe pads, the device exhibits a maximum oscillation frequency fmax of 10.1GHz and a cut-off frequency fτ of 1.8GHz at a DC bias point of IC=10mA and VCE = 2.5V.

摘要：高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.