摘要：用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期,原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后,台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在,在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累,而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒,台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响,将明显提高达到台阶生长模式的温度.

摘要：采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS∶Cu纳米薄膜及相应谐振腔。X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构。光致荧光测量显示,ZnS∶Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰。荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS∶Cu纳米薄膜荧光强度最强。在由Al膜与ITO薄膜构成的腔长为3.6μm的ZnS∶Cu垂直谐振腔中共观察到10多个荧光干涉峰。经分析确定,该垂直谐振腔的品质因数为30.3。