摘要：设计了一种二维光子晶体的极化分离器,时域有限差分模拟和频率等高线图均用来显示这种器件是如何在给 定的频率下工作的,其工作原理来源于二维光子晶体对TE和TM模式有着不同的色散特性,这种器件可以使用在集成光 学和微波技术。

摘要：应用在便携式电子设备中的集成电路,往往要求有高的集成度和低的工作电压,高的集成度使得电路各个模块产生的噪音耦合到电源电压这一情况更加严重,因此需要一款低电压、高电源抑制(Power Supply Rejection,简称PSR)的LDO(LowDrop-outVoltage Linear Regulator,低压降线性电压调节器)来供电。设计了这样一款LDO,仿真结果表明PSR在1kHz时为-78dB,电源电压可低至0.9V。

摘要：静态随机同步存储器(SRAM)灵敏放大器(SA)广泛用于深亚微米芯片存储系统的设计,用来提高存储系统的速度和降低存储系统功耗。提出一种由作者设计的新型灵敏放大器,能够在满足功耗、速度、面积的基础上降低失配。首先介绍失配对锁存型灵敏放大器性能的影响,然后介绍两种常用的改进方法,最后重点介绍由作者设计的时序改进型的SA,并对结构改进前后的仿真数据进行比较,且与以往的两种结构进行比较。

摘要：给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(highV_(th))器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。

摘要：最近研究表明,静态存储器(SRAM)功耗是整个芯片功耗的重要组成部分,功耗问题在SRAM单元设计中成为一个日益重要的问题。提出了一种新的纳米级的高稳定性和低功耗应用技术,采用该技术的SRAM单元采用分开的读写机制。65nm CMOS工艺的仿真结果表明,此新型的SRAM单元结构在保证正确的读写操作下,在写0操作时功耗比传统的SRAM单元降低22.45%。同时,此新型SRAM在空闲模式下利用漏电流和正反馈存值,极大地提高了SRAM单元的稳定性,改善了纳米尺度下SRAM单元的功耗问题。

摘要：为了对微处理器中浮点运算单元FPU(floating-point unit)进行高效的功能验证,对浮点运算的边界情况进行了研究,引入了对中间结果(intermediate result)的约束解决算法(constriant solved arithmetic).与传统的对浮点运算单元的功能验证相比,基于该约束算法的浮点数生成器,拓宽了浮点边界情况的可选范围,有效提高了验证效率.实验结果表明,集成该浮点数生成器的UVM验证平台,能够在12小时的测试时间内,对一个浮点运算子模块(floating-point subunit)达到超过99%的覆盖率.

摘要：为满足工业现场温湿度智能化统一监测管理的需求,基于嵌入式技术和无线传感网技术设计了多点温湿度测量系统。在AT91SAM9263、MSP430F2618和PC构成的硬件平台上,以CC2530为核心组建ZigBee网状(Mesh)网络实现多个无线测量终端与无线基站数据交互,并设计了具备友好人机交互界面的上位机智能温湿度测量管理系统软件。经实际测试,温湿度测量准确,系统运行稳定可靠,用户操作方便,提高了工业现场测量效率。

摘要：提出一种新型的工作在0.5V电源电压下两级低压全差分运放,该运放结构是带有共模反馈的密勒补偿运放,拥有更强的抗噪声能力和共模电源电压抑制能力,带宽更大,提高了系统的稳定性。输入信号由晶体管的栅极加入,这点与传统的电路结构相吻合,并采用衬底自偏置解决了阈值电压对电源电压降低的限制,更易于实现。该运放结构是基于SMIC0.18μm标准CMOS工艺,HSpice仿真结果表明,这种结构的开环增益可以达到76dB,单位增益带宽150MHz。

摘要：为适应大空间范围内温湿度实时采集与控制需求,基于嵌入式技术和无线传感网络技术设计了多通道温湿度测量系统。采用低功耗控制技术,在低功耗处理器MSP430F2618、CC2530和外围硬件电路构成的硬件平台上,利用操作系统抽象层(OSAL)多任务资源分配机制,开发了具有友好人机交互界面和多种工作模式的应用软件。系统提供9路铂电阻传感器和3路温湿度传感器,经实际测试,温度测量精度优于±0.1℃,湿度测量精度优于±1.5%,在1分钟测量1次的情况下可持续工作72小时。

摘要：在分析各种低压LDO结构的基础上,设计了一款新型的基于0.18μm CMOS工艺的LDO低压降线性电压调整器。该LDO电路采用了折叠低压带隙和折叠共源共栅结构的运放,采用密勒补偿以保证整体LDO的稳定性。具有很低的输入/输出电压差、超低的静态电流,良好的负载调整能力、线性调整能力和良好的电源抑制特性,此外,还具有过温保护和短路保护电路,保证电路的安全工作。该电路配以简单外部设备即可为各种电子产品提供灵活、高效、可靠的电源解决方案,大大降低了设计成本。