摘要：对电源储能厚铜类大拼版印制电路板(PCB)产生板翘问题的原因进行分析,主要涉及材料、加工工艺及回流焊后板翘的变化情况。通过正交试验设计(DOE)验证电源储能厚铜类大拼板PCB出现板翘的真正原因,最终得出其板翘与基板材料及半固化片(PP)的匹配有重要关系。同时,过程中的压合参数管控、烤板参数等会对改善板翘有一定的改进作用。最后提出相应改善措施,以期为同行企业技术工作者提供参考。

摘要：纳米器件包括纳米电子器件和纳米光电器件,是未来新型仪器、设备生产与制造的基础。因此,它们的设计、制造方法和技术受到了人们的广泛关注。介绍了用图形化技术实现纳米器件设计与制造的应用研究进展。

摘要：根据线性扫描伏安法与循环伏安法的基本原理,采用电化学中典型的K3[Fe(CN)6]电化学可逆系统设计了线性扫描伏安法与循环伏安法实验。作为应用化学专业高年级学生和研究生学习电化学课程的实验,收到了非常好的教学效果。

摘要：电子产品的高电气性能发展趋势要求了PCB制造的高密度化与芯片设计的大规模集成化。当大功率芯片无法快速散热时,PCB基体将发生温度分布不均匀现象,并且温度分布不均匀产生的热应力又会影响PCB的可靠性。本文以热分布不均匀的HDI刚挠结合板为研究对象,通过有限元数值模拟方法建立了HDI板结构模型,采用热生成加载的方式给HDI板施加热量,模拟计算出在均匀温度场中HDI板因材料热膨胀系数差异产生的层间热应力。仿真结果表明了界面热应力的大小、分布和HDI板材料的热膨胀系数、温度载荷密切相关,并且能快速观察到引起HDI板失效的层间热应力趋势,为优化HDI板结构设计、提高HDI板可靠性提供了理论依据。

摘要：射频功放类印制电路板常设计有半金属化槽作为埋制焊接功率放大器的配合空间,本文研究探讨了影响半金属化槽槽壁质量的各种因素。理论和实验两个角度分析验证了铣刀类型与走刀方向对半金属化槽披锋毛刺的影响,得出半金属化槽控深铣时平底型铣刀及逆铣方式更有利于槽壁质量。同时利用正交实验优化了半金属化槽铣槽制作参数,并提出了一种有利于改善槽壁披锋毛刺的新工艺流程。

摘要：文中使用叠层技术制作了以环氧树脂/钛酸钡/聚酰亚胺为绝缘介质的PCB埋嵌电容器。制作的电容器容值与设计值之间误差在-4.0%到-6.0%之间。通过将电容器面积增加5%,电容器容值误差降低到了-1.1%以下。为了检测埋嵌电容器的可靠性,分别进行了260℃回流焊、高低温冷热冲击、85℃/85%RH及高压击穿测试。测试结果表明,以环氧树脂/钛酸钡/聚酰亚胺为绝缘介质的PCB埋嵌电容器有良好的环境可靠性,适合用于制作PCB埋嵌电容器。

摘要：等离子清洗是刚挠结合板去钻污的最重要的一个过程,它影响着镀铜与孔壁表面之间的结合力。获得平整、均匀的表面是金属化孔可靠性的重要保证。本文将从等离子机的腔体空间的均匀性、等离子机蚀刻时间的均匀性等研究着手,为等离子蚀刻均匀性研究提供可靠的实验环境。通过等离子蚀刻刚挠结合板不同材料的实验,并利用均匀设计的方法获得刚挠结合板用聚酰亚胺、丙烯酸胶及环氧树脂等不同材料的蚀刻速率与等离子蚀刻参数之间的非线性拟合关系。最后再根据方程进行讨论,获得刚挠结合板用材料蚀刻均匀性的参数。根据实验中,实验分析中出现的各种现象,本文等离子蚀刻提出最合理的机理解释,并使用该机理定性纠正非线性拟合方程中的拟合偏差。

摘要：在现代印制电路原理与工艺课程的教学中,化学镀铜是基本内容之一。文章采用RF-4为基材,研究了优化试验设计在次亚磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺研究中的应用。实验获得Na2H2PO2化学镀铜的最佳工艺参数为:次亚磷酸钠***-3;硫酸镍***-3;硼酸***-3;酒石酸钾钠***-3;五水硫酸铜***-3;pH值6;温度55℃。

摘要：考察了厚铜蚀刻深度与宽度随蚀刻时间的变化,研究了厚铜设计线距变化对侧蚀程度的影响。基于不完全蚀刻设计,对比三种计算厚铜蚀刻均匀性方法的差异,分析设计线距与蚀刻因子的相互关系。结果表明蚀刻因子随设计线距的增大而增大,线宽偏差随设计线距增大而减小。

摘要：运用实验设计方法对等离子清洗挠性印制线路板去钻污工艺参数进行了优化。结果表明,用均匀设计法进行试验,仅需试验12次便可获得实验结果,通过非回归分析即可得到凹蚀量y(μm)与CF4含量、射频功率、真空度、温度、时间等因素的回归方程。其方程具有很好的拟合度,并取得了良好的清洗效果,为后续工序得到合格的金属化孔提供了保证。