摘要：为实现可调谐的多重Fano共振特性及设计高灵敏度折射率传感器,本文提出一种纳米环-七聚体金属-介电纳米天线结构,利用有限元方法(Finite Element Method,FEM)研究了Fano共振特性的影响因素和变化规律。研究表明,纳米环-七聚体金属-介电纳米天线的Fano共振特性对高度、入射角度和结构间隙的变化非常敏感;纳米天线的电场强度和电偶极源激发下的珀赛尔系数(Purcell factor,PF)可达134.74 V/m和3214,使得纳米天线中心位置附近的电场强度得到大幅增强;复合纳米天线结构具有较高的灵敏度S和品质因数FOM,分别为1400 nm/RIU和17 RIU^(-1),可作为评价高灵敏度折射率传感器的重要性能指标。本文为实现复合纳米天线结构中Fano共振的可调谐特性提供了一种可行途径,为表面增强拉曼散射、量子发射器和折射率传感器等实际应用奠定了坚实的理论基础。

摘要：设计了一种用于同时检测甲烷和氢气的基于表面等离子体共振(SPR)的新型光子准晶体光纤(PQF)传感器。在该传感器中,在银膜上分别沉积Pd-WO3和掺杂聚硅氧烷的笼型分子E薄膜作为氢气和甲烷的敏感材料。采用全矢量有限元方法对PQF-SPR传感器进行数值分析,结果证明该传感器具有良好的传感性能。在0%~3.5%的浓度范围内,氢气的最大检测灵敏度和平均灵敏度分别为0.8 nm/%和0.65 nm/%,甲烷的最大灵敏度和平均灵敏度分别为10 nm/%和8.81 nm/%。该传感器具有同时检测多种气体的能力,在设备小型化和远程监测方面具有很大的潜力。

摘要：针对稳健设计普遍存在的寻优效率低等问题,提出了一种结合全局优化算法与并行计算的稳健设计方法,并将其用于动力总成悬置系统的稳健设计。首先,通过全局搜索确定可行域。然后,应用并行计算完成可行域稳健性评价,从而有效提高了计算效率并降低了设计问题出现反复的可能性。以某动力总成悬置系统为例,采用本文设计方法完成了系统的稳健设计。结果表明,随着不确定水平的升高,稳健设计的必要性和优势越来越明显;模态解耦率标准差的变化幅度远大于平均值,解耦率稳健性的提高主要是通过减小标准差而实现的。

摘要：利用变形约束时效的方法制作了双程记忆弹簧,采用DSC和温度-位移记录仪表征了弹簧的相变行为和双程记忆效应。DSC和双程记忆动力学曲线均表明弹簧在升温过程的形状变化由马氏体逆相变M/R→A控制,而冷却过程受A→R→M两阶段相变控制,并且R相变对双程记忆应变量的贡献比马氏体相变的贡献大。与马氏体相变相比,R相变诱发的双程记忆效应具有较窄的动作滞后温度以及很高的记忆稳定性,这与变形约束时效时所获得的一定取向的Ti3Ni4相共格内应力场有关。结果表明:变形约束时效是获得双程记忆弹簧的良好途径,制作方法相对简单,获得的双程记忆应变量大,且稳定性高,尺寸制作具有很强的可设计性以及动作温度的可控性。

摘要：发电机磁极主引线承载着励磁大电流,该部件的绝缘和通流能力影响着转子磁极的正常运行,通过对海蓄电站磁极主引线结构的研究,以及对安装改造过程的总结,能够对后续电站发电机磁极主引线设计和改造提供一些参考意见,对引线的检修维护重点做出指引。

摘要：文章以内蒙古锡林郭勒盟水利工程为例,简单介绍了水利工程的信息化管理系统,详细分析了信息化管理系统的结构设计、功能设计与数据库设计,希望能给水利工程信息化管理系统设计带来一定帮助。

摘要：水电站在我国水利工程建设中占有很大比重,现阶段我国众多区域都在积极进行小型水电站建设,小型水电站建设数量也在不断增加。但是对我国小型水电站建设进行深入调查发现,其中存在着很多不良不良,对我国小型水电站建设发展造成了非常不良影响,其中较为关键的就是增效扩容电气设计问题。相关工作人员需要不断加强研究力度,对老化小型水电站建设中存在的问题进行深入分析,找寻有效措施对其进行科学性的改造,为我国水利水电工程建设增加新的生命力。

摘要：随着采矿科技的发展,三维矿业软件集合地质、测量、采矿规划等综合信息,对矿产开发三维角度进行科学规划与管理,相比二维软件在日常采矿管理中大大提高效率与精准度,结合3Dmine三维矿业软件对露天采矿计划的设计,供同类矿山借鉴推广。

摘要：分析了多核CPU和操作系统、并行计算以及多线程设计与开发之间的关系,结合一个新的性能评估算法,从线程并行数量、数据竞争、锁竞争、线程安全、数据传输、存储一致性等方面,详细分析了多核多线程开发中开发技术和存在的问题,并给出了对应的措施,最后简要论述和分析了多核多线程技术的发展趋势。

摘要：为了满足5G大环境下的低功耗物联网节点应用,设计了一种新型谐波抑制负载结构的整流电路,在二极管后引入连续多阶微带谐波抑制结构,从而实现较高的转换效率和较小的输出纹波。该电路结构紧凑、设计成本低、结构简单,当输入功率为14.8 dBm时,电路的转换率可达72.5%。最后选择F 4 B基板进行实验验证,结果表明当负载为750Ω时,该电路结构的最高转换效率仍可以达到61.2%,相比于其他结构有明显的提高。