摘要：基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力。测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm^2（以芯片面积计算）。在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA。动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好。器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏（H3TRB）和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性。器件的成品率达70%以上。

摘要：高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明:所研制的1 200 V SiC MOSFET器件在经过168 h的HTGB和HTRB可靠性试验后,所有测试器件的击穿电压>1 200 V,阈值电压偏移量<15%,导通电阻偏移量<15%,显示出优良的器件鲁棒性,也初步证明了国产SiC MOSFET器件的设计、工艺及其研制的可行性。

摘要：引言2022年,第19届亚运会(以下简称"杭州亚运会")将在杭州举办。亚运会作为洲际性、全民参与的公共事件,对于举办国来说,其影响力已远远超越了亚运会赛事本身。我们以亚运之名,籍此盛会,聚焦世界的目光,展示中国杭州的地域、民族与文化,提振杭州的国际知名度。在这个重大的历史事件面前,作为座落于西子湖畔,国际知名的一流艺术院校--中国美术学院有责任、有义务发挥学术研究优势,把握文化、经济发展的脉搏,贡献美院在大型活动中积累的经验,积极推动亚运筹办工作高效有序开展。